[發(fā)明專利]一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010489233.8 | 申請日: | 2020-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN111627837B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王新強;潘慶波;李娜;楊玉珍;劉文;王丕龍 | 申請(專利權(quán))人: | 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L29/868 |
| 代理公司: | 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42258 | 代理人: | 馬尚偉 |
| 地址: | 266000 山東省青島市城陽*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 恢復(fù) 整流二極管 封裝 裝置 制造 方法 | ||
1.一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置,其特征在于,包括:
工作臺組件,所述工作臺組件包括底座、支架、固定板、固定臺、焊接機、液壓缸和密封上蓋;
其中,所述支架和所述固定臺由外至內(nèi)依次安裝于所述底座的頂部,所述固定板安裝于所述支架的頂部,所述液壓缸的安裝于所述固定板的底部,所述密封上蓋安裝于所述液壓缸的底部,所述焊接機安裝于所述密封上蓋的內(nèi)壁底部,所述固定臺的頂部開設(shè)有第一凹槽,所述密封上蓋的頂部一側(cè)開設(shè)有第二凹槽;
氣壓控制組件,所述氣壓控制組件包括真空泵、連接管和進氣裝置組件;
其中,所述真空泵安裝于所述固定板的頂部,所述連接管的一端與所述真空泵連通,所述連接管的另一端自上而下貫通所述固定板與所述密封上蓋連通,所述進氣裝置組件安裝于所述密封上蓋的頂部一側(cè),所述進氣裝置組件包括進氣裝置底座、驅(qū)動電機、螺桿、推拉桿、導(dǎo)向塊和密封塊,所述進氣裝置底座安裝于所述密封上蓋的頂部一側(cè),所述驅(qū)動電機安裝于所述進氣裝置底座的頂部,所述進氣裝置底座的底部開設(shè)有第一孔位,所述第一孔位的底部開設(shè)有第二孔位,所述第二孔位的底部,開設(shè)有第三孔位,所述第二孔位的一側(cè)開設(shè)有第三凹槽,所述進氣裝置底座的一側(cè)開設(shè)有第五孔位,所述推拉桿安裝于所述第二孔位的內(nèi)部,所述推拉桿的一端開設(shè)有第四孔位,所述導(dǎo)向塊安裝于所述推拉桿的兩側(cè),所述螺桿的一端安裝于所述驅(qū)動電機的底部,所述螺桿的另一端貫通所述第三孔位安裝于所述第四孔位的內(nèi)部,所述密封塊設(shè)置于所述第二凹槽的內(nèi)部,所述密封塊安裝于所述螺桿的一端;
密封機構(gòu),所述密封機構(gòu)包括密封座和密封氣囊;
其中,所述密封座的內(nèi)部設(shè)置有空腔,所述密封座的頂部開設(shè)有第四凹槽,所述第四凹槽的內(nèi)壁一側(cè)開設(shè)有第六孔位,所述密封座的一側(cè)開設(shè)有第七孔位,所述第七孔位的內(nèi)壁一側(cè)開設(shè)有第八孔位,所述密封氣囊安裝于所述密封上蓋的底部;
所述第六孔位用于連通所述第四凹槽與所述空腔,所述第八孔位用于連通所述第七孔位和所述空腔;
所述第五孔位用于導(dǎo)入外部空氣到所述密封上蓋與所述密封座內(nèi)部;
在抽取真空過程中,所述第四凹槽內(nèi)部的空氣通過所述第六孔位和所述空腔進入第八孔位,再經(jīng)由所述第七孔位進入所述密封上蓋與所述密封座被所述真空泵抽出到所述密封上蓋與所述密封座的外部,?在這個過程中,密封氣囊內(nèi)部氣壓大于密封氣囊外部的氣壓逐漸膨脹,將所述第四凹槽的縫隙填充,同時密封所述第六孔位,保持所述密封上蓋與所述密封座的氣密性,防止外部的空氣進入到所述密封上蓋與所述密封座的內(nèi)部,使封裝裝置保持焊接過程處于真空環(huán)境;
外部的空氣通過所述第五孔位進入到所述密封上蓋與所述密封座內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置,其特征在于:所述密封氣囊的外表面形狀與所述第四凹槽的內(nèi)壁形狀相適配,所述密封氣囊的內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu),所述密封氣囊的材料為熱塑性聚氨酯彈性體橡膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置,其特征在于:所述導(dǎo)向塊的外壁與所述第三凹槽的內(nèi)壁之間間隙配合,所述螺桿與所述第四孔位螺紋連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置,其特征在于:所述密封塊的形狀為倒梯形,所述密封塊的外壁與所述第二凹槽的內(nèi)壁之間間隙配合。
5.一種二極管的封裝制造方法,應(yīng)用于權(quán)利要求1-4任一項所述的一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置,其特征在于,包括以下步驟:
S1,固定,將待焊接的二極管材料放置于所述第一凹槽的內(nèi)部;
S2,密封,開啟所述液壓缸,推動所述密封上蓋向下運動與所述密封座接觸,所述密封氣囊與所述第四凹槽接觸;
S3,抽真空,開啟所述真空泵,將密封好的所述密封上蓋與所述密封座內(nèi)部的空氣抽出,在抽取過程中,所述第四凹槽內(nèi)部的空氣被抽出,所述密封氣囊內(nèi)部氣壓大于所述密封氣囊外部的氣壓,所述密封氣囊逐漸膨脹,將所述第四凹槽的縫隙填充,同時密封所述第六孔位,保持所述密封上蓋與所述密封座的氣密性;
S4,焊接,開啟所述焊接機進行焊接;
S5,通氣,控制所述驅(qū)動電機逆時針轉(zhuǎn)動,所述驅(qū)動電機帶動所述螺桿逆時針轉(zhuǎn)動,與所述螺桿螺紋連接的所述推拉桿向上運動,所述推拉桿帶動所述密封塊向上運動,外部的空氣通過所述第五孔位進入到所述密封上蓋與所述密封座內(nèi)部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





