[發明專利]半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202010484230.5
• 申請日: 2020-06-01
• 公開（公告）號: CN112086414A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 謝亞叡;許家豪;陳泰宇;許耀邦
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本發明提供了一種半導體封裝結構。該半導體封裝結構包括：基板，半導體裸晶，成型材料，第一接合層和熱接口材料。半導體裸晶被設置在基板的上方。成型材料環繞半導體裸晶。第一接合層被設置在半導體裸晶的上方。熱接口材料被設置在成型材料的上方。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年6月14日遞交的申請號為62/861,379的美國臨時案以及2020年3月5日遞交的申請號為62/985,371的美國臨時案的優先權，在此合并參考上述申請案的全部內容。

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種具有熱接口材料(thermalinterface material)的半導體封裝結構。

背景技術

半導體封裝結構不僅能夠給半導體裸晶(semiconductor die)提供免受環境污染物侵害的保護，而且還能夠在封裝于其中的半導體裸晶與諸如印刷電路板(printedcircuit board，PCB)的基板之間提供電連接。

在半導體裸晶的操作期間會產生熱量。如果沒有充分除去熱量，則升高的溫度會損壞半導體組件，并會導致熱應力和半導體封裝結構的彎曲(warpage)。

需要將散熱裝置(heat dissipation device)設置在半導體封裝結構中。散熱器/散熱片(heatsink)通常用于散發熱量。熱接口材料被設置在半導體裸晶和散熱器之間，以促進熱量從半導體裸晶傳遞到散熱器。然而，盡管半導體封裝結構中的現有散熱裝置通常能夠滿足要求，但是它們并不是在各個方面都令人滿意，因此，需要進一步的改進以提高散熱效率。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的之一在于提供一種半導體封裝結構，以解決上述問題。

本發明提供了一種半導體封裝結構。半導體封裝結構的示例性實施例包括：基板，半導體裸晶，成型材料，第一接合層和熱接口材料。半導體裸晶被設置在基板的上方。成型材料環繞半導體裸晶。第一接合層被設置在半導體裸晶的上方。熱接口材料被設置在成型材料的上方。

在一些實施例中，該半導體封裝結構還包括：第一散熱器，被設置在該第一接合層的上方。

在一些實施例中，該熱接口材料連接該成型材料和該第一散熱器。

在一些實施例中，該熱接口材料是粘合劑。

在一些實施例中，該熱接口材料環繞該第一接合層。

在一些實施例中，該熱接口材料和該第一接合層被間隙間隔開。

在一些實施例中，該半導體封裝結構還包括：金屬層，被設置在該第一接合層和該半導體裸晶之間。

在一些實施例中，該熱接口材料具有至少一個凹口。

在一些實施例中，該熱接口材料被至少一個缺口切斷。

在一些實施例中，該熱接口材料部分地環繞該第一接合層。

在一些實施例中，該半導體封裝結構還包括：導電組件，被設置在該半導體裸晶和該基板之間。

在一些實施例中，該半導體封裝結構還包括：被設置在該基板下方的第二散熱器，其中，該第二散熱器透過第二接合層接合至該基板。

在一些實施例中，該第二散熱器是在接合該第一散熱器之前被接合的，以及，該第一接合層的熔點低于該第二接合層的熔點。

在一些實施例中，該第一接合層包括SnBi，SnBiAg或其組合。

在一些實施例中，該熱接口材料比該金屬層厚并且比該接合層厚。

在一些實施例中，該熱接口材料的側壁與該成型材料的側壁對準。