[發明專利]半導體封裝結構在審
| 申請號： | 202010484230.5 | 申請日： | 2020-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN112086414A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發明（設計）人： | 謝亞叡;許家豪;陳泰宇;許耀邦 | 申請（專利權）人： | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李慶波 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構，包括：
基板；
半導體裸晶，被設置在該基板的上方；
環繞該半導體裸晶的成型材料；
第一接合層，被設置在該半導體裸晶的上方；以及，
熱接口材料，被設置在該成型材料的上方。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該半導體封裝結構還包括：
第一散熱器，被設置在該第一接合層的上方。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料連接該成型材料和該第一散熱器。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料是粘合劑。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料環繞該第一接合層。
6.根據權利要求1或5所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料和該第一接合層被間隙間隔開。
7.根據權利要求1或2所述的半導體封裝結構，其特征在于，該半導體封裝結構還包括：
金屬層，被設置在該第一接合層和該半導體裸晶之間。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料具有至少一個凹口；或者，該熱接口材料被至少一個缺口切斷。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料部分地環繞該第一接合層。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該半導體封裝結構還包括：
導電組件，被設置在該半導體裸晶和該基板之間。
11.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，該半導體封裝結構還包括：
被設置在該基板下方的第二散熱器，其中，該第二散熱器透過第二接合層接合至該基板。
12.根據權利要求11所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第二散熱器是在接合該第一散熱器之前被接合的，以及，該第一接合層的熔點低于該第二接合層的熔點。
13.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該第一接合層包括SnBi，SnBiAg或其組合。
14.根據權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料比該金屬層厚并且比該接合層厚。
15.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該熱接口材料的側壁與該成型材料的側壁對準。
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