[發明專利]一種防串擾Micro-LED顯示屏及其制造方法

在審

• 申請號: 202010482962.0
• 申請日: 2020-06-01
• 公開（公告）號: CN111490061A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 岳大川;朱濤
• 申請（專利權）人: 深圳市奧視微科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 田媛

本發明涉及一種防串擾Micro?LED顯示屏及其制造方法，是在量子點發光材料的非出光面形成反射層，從而減少量子點發光材料層的光吸收現象，消除光串擾，提高出光效率，尤其適用于量子點發光材料高度大于5微米的顯示屏結構。

技術領域

本發明屬于微顯示技術領域，特別涉及一種Micro-LED顯示屏及其制造方法。

背景技術

隨著VR/AR（虛擬現實/增強現實）產業的迅速發展使得適用于VR/AR的顯示器迎來了一個高速增長期。有鑒于VR/AR系統目前多以頭戴式設備實現，因此適合于這些設備的顯示必須是微顯示芯片，一般對角線尺寸在1英寸以內，大多是在0.6-0.7英寸。目前的微顯示芯片包括了LCOS、Micro-OLED以及Micro-LED三種，然而在面對AR應用時，LCOS和Micro-OLED芯片的亮度還難以達到實際需求，因此適用于AR系統的顯示芯片將主要以Micro-LED微顯示芯片為主。Micro-LED即LED微縮技術，是指將傳統LED陣列化、微縮化后定址巨量轉移到電路基板上，形成超小間距LED，將毫米級別的LED長度進一步微縮到微米級，以達到超高像素、超高解析率，理論上能夠適應各種尺寸屏幕的技術。

隨著像素的進一步縮小，LED微顯示屏像素之間的光串擾現象變得尤為嚴重，在單色顯示屏體里，這一問題的嚴重性可由在LED像素外部生長反光層來降低和緩解，然而，當前Micro-LED微顯示實現彩色化方法之一是采用藍光LED加紅綠量子點QD的方法，在這種顯示屏當中，為了達到較好的光轉化效率，QD材料往往會超過5μm，這種情況下，存在著在QD層發生光串擾的問題，雖然可以采用BM（Black Matrix黑色遮光）材料消除這一問題（見US2018/0233537 Al），然而出光效率卻會大幅下降。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明的目的是提供一種出光效率高的防串擾微顯示屏及其制造方法。

為了實現上述發明的目的，本發明采用如下技術方案：一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，包括：

S1、提供一襯底，所述的襯底上具有若干LED芯片；

S2、對所述的襯底進行平坦化并生長層間絕緣層，并在所述的層間絕緣層之上形成量子井絕緣層；

S3、在所述的量子井絕緣層表面制作圖形化且呈陣列分布的量子井，在所述的量子井的內壁上先后生長一反射層和一絕緣層；

S4、在所述的量子井內填充量子點發光材料；

S5、在所述的量子井絕緣層表面形成保護絕緣層；

S6、提供一驅動背板，剝離所述的襯底，將所述的LED芯片與所述的驅動背板倒裝壓合。

上述技術方案中，更進一步地，所述的LED芯片的表面生長有LED絕緣層，且所述的LED芯片的非出光面還設有光阻擋層。

優選的，所述的量子井絕緣層選自SiO₂、SiN和Al₂O₃中的一種。

優選的，所述的反射層為金屬反射層。

優選的，金屬反射層的材料是Ag、Al、Ti材料中的一種或任意兩種或兩種以上形成的合金材料。

優選的，所述的反射層的厚度為≤500nm。

優選的，所述的顯示屏包括多個像素結構，各所述的像素結構均包含至少一對所述的LED芯片，以及分別疊放在所述的至少一對LED芯片上的多個量子點發光材料，在所述的步驟S3中，形成多個所述的量子井，在所述的步驟S4中，一次填充多個所述的量子點發光材料。