[發明專利]一種防串擾Micro-LED顯示屏及其制造方法

在審

• 申請號: 202010482962.0
• 申請日: 2020-06-01
• 公開（公告）號: CN111490061A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 岳大川;朱濤
• 申請（專利權）人: 深圳市奧視微科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 田媛

1.一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于包括：

S1、提供一襯底（11），所述的襯底（11）上具有若干LED芯片（12）；

S2、對所述的襯底（11）進行平坦化并生長層間絕緣層（16），并在所述的層間絕緣層（16）之上形成量子井絕緣層（21）；

S3、在所述的量子井絕緣層（21）表面制作圖形化且呈陣列分布的量子井（22、22’），在所述的量子井（22、22’）的內壁上先后生長一反射層（24、27）和一絕緣層（25、28）；

S4、在所述的量子井（22、22’）內填充量子點發光材料(23、26)；

S5、在所述的量子井絕緣層（21）表面形成保護絕緣層（30）；

S6、提供一驅動背板（40），剝離所述的襯底（11），將所述的LED芯片（12）與所述的驅動背板（40）倒裝壓合。

2.根據權利要求1所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的LED芯片（12）的表面生長有LED絕緣層（13），且所述的LED芯片（12）的非出光面還設有光阻擋層（14）。

3.根據權利要求1所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的量子井絕緣層（21）選自SiO₂、SiN和Al₂O₃中的一種。

4.根據權利要求1所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的反射層為金屬反射層。

5.根據權利要求4所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的金屬反射層的材料是Ag、Al、Ti材料中的一種或任意兩種或兩種以上形成的合金材料。

6.根據權利要求4所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的反射層的厚度為≤500nm。

7.根據權利要求1所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的顯示屏包括多個像素結構（100），各所述的像素結構（100）均包含至少一對所述的LED芯片（12），以及分別疊放在所述的至少一對LED芯片（12）上的多個量子點發光材料（23、26），在所述的步驟S3中，形成多個所述的量子井（22、22’），在所述的步驟S4中，一次填充多個所述的量子點發光材料（23、26）。

8.根據權利要求1所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的顯示屏包括多個像素結構（100），各所述的像素結構（100）均包含至少一對所述的LED芯片（12），以及分別疊放在所述的至少一對LED芯片（12）上的多個量子點發光材料（23、26），在所述的步驟S3中，形成一個所述的量子井（22或22’），在所述的步驟S4中，填充一個所述的量子點發光材料（23或26），重復所述的步驟S3、S4直至形成多個所述的量子點發光材料（23、26）。

9.根據權利要求1所述的一種防串擾Micro-LED顯示屏的制造方法，其特征在于：所述的保護絕緣層（30）的材料選自SiO₂、SiN和Al₂O₃中的一種。

10.一種防串擾Micro-LED顯示屏，包括驅動背板（40）以及焊接在所述的驅動背板（40）上的多個像素結構（100），各所述的像素結構（100）均包含至少一對LED芯片（12）以及疊放在所述的LED芯片（12）出光一側的至少一對量子點發光材料（23、26），其特征在于：所述的至少一對量子點發光材料（23、26）的非出光側均設置有反射層（24、27）。