[發(fā)明專利]非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試電路和控制測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010475586.2
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN111696614B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高璐
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C29/44
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

本發(fā)明公開了非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試電路及控制測試方法，包括模式控制模塊、冗余地址載入模塊、寄存器組和地址比較器；模式控制模塊用于確定工作模式；在測試模式下，地址比較器產(chǎn)生測試的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號，對NVM存儲陣列進(jìn)行測試并將錯誤行地址及有效位標(biāo)識寫入NVM存儲陣列的OTP區(qū)域中；在自動載入模式下，冗余地址載入模塊將錯誤行地址和有效位標(biāo)識通過校驗讀出且當(dāng)校驗通過后存入寄存器組；在用戶工作模式下，地址比較器產(chǎn)生存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號，并自動利用冗余存儲陣列行替換NVM存儲陣列中的錯誤行。本發(fā)明將測試模式和用戶工作模式下的替換功能融于一體，提高了良率，簡化了客戶設(shè)計及操作。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計及測試領(lǐng)域，特別涉及一種非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試電路，本發(fā)明還涉及一種非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試方法。

背景技術(shù)

非揮發(fā)性存儲器又稱非易失性存儲器(NVM)，其存儲的信息在電源關(guān)掉之后依然能長時間存在，不易丟失。但是，實際使用過程中，NVM存儲陣列中往往也會出現(xiàn)個別存儲單元不能正常讀寫的情況，這些無法正常讀寫的存儲單元簡稱為錯誤行。目前，傳統(tǒng)的冗余存儲控制電路需要客戶維護(hù)錯誤行的地址，但是電路的端口復(fù)雜，因此導(dǎo)致非揮發(fā)性存儲器的測試及控制比較復(fù)雜，芯片的良率低下，且不利于客戶的設(shè)計及操作。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試電路和控制測試方法，可以解決現(xiàn)有非揮發(fā)性存儲器冗余存儲控制電路端口復(fù)雜且需要客戶維護(hù)錯誤行地址的問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試電路，所述控制測試電路包括模式控制模塊、冗余地址載入模塊、寄存器組和地址比較器；

所述模式控制模塊用于確定所述控制測試電路的工作模式，所述工作模式分為自動載入模式、測試模式、用戶工作模式；

所述寄存器組包括n個冗余地址寄存器，每個冗余地址寄存器對應(yīng)一個有效位標(biāo)識；

所述地址比較器根據(jù)所述控制測試電路的工作模式、外部輸入的用戶地址及控制信號、所述寄存器組產(chǎn)生存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號；

所述冗余地址載入模塊在所述控制測試電路的工作模式為自動載入模式時從非揮發(fā)性存儲器的OTP區(qū)域中讀出NVM存儲陣列的錯誤行地址、有效位標(biāo)識和校驗位并校驗讀出的數(shù)據(jù)是否正確，且當(dāng)讀出的所述數(shù)據(jù)校驗正確時，所述冗余地址載入模塊將所述錯誤行地址和所述有效位標(biāo)識存入所述寄存器組并輸出載入成功標(biāo)志。

進(jìn)一步地，所述模式控制模塊根據(jù)所述載入成功標(biāo)志、所述控制信號及外部測試模塊輸出的測試使能信號確定所述控制測試電路處于所述測試模式或所述用戶工作模式。

進(jìn)一步地，所述自動載入模式通過上電復(fù)位或開始使能信號啟動。

進(jìn)一步地，所述控制測試電路的工作模式為測試模式時，所述地址比較器的輸入地址為所述用戶地址，其根據(jù)所述用戶地址、所述控制信號和所述測試使能信號產(chǎn)生測試的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號。

進(jìn)一步地，所述控制測試電路的工作模式為用戶工作模式時，所述地址比較器的輸入地址為所述用戶地址，其根據(jù)所述用戶地址、所述控制信號和所述寄存器組產(chǎn)生相應(yīng)的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號。

進(jìn)一步地，所述控制測試電路的工作模式為自動載入模式時，所述地址比較器的輸入地址為所述冗余地址載入模塊的載入地址。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的非揮發(fā)性存儲器冗余存儲的控制測試方法，其中：

在測試模式下，利用地址比較器產(chǎn)生測試的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號，對非揮發(fā)性存儲器的NVM存儲陣列進(jìn)行測試，并將所述NVM存儲陣列中的錯誤行地址及有效位標(biāo)識寫入所述NVM存儲陣列的OTP區(qū)域中；