[發明專利]非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路和控制測試方法

有效

• 申請號: 202010475586.2
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN111696614B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 高璐
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C29/44
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

1.一種非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路，其特征在于，所述控制測試電路包括模式控制模塊、冗余地址載入模塊、寄存器組和地址比較器；

所述模式控制模塊用于確定所述控制測試電路的工作模式，所述工作模式分為自動載入模式、測試模式、用戶工作模式；

所述寄存器組包括n個冗余地址寄存器，每個冗余地址寄存器對應一個有效位標識；

所述地址比較器根據所述控制測試電路的工作模式、外部輸入的用戶地址及控制信號、所述寄存器組產生存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號；

所述冗余地址載入模塊在所述控制測試電路的工作模式為自動載入模式時從非揮發性存儲器的OTP區域中讀出NVM存儲陣列的錯誤行地址、有效位標識和校驗位并根據相應的校驗算法校驗讀出的所述校驗位是否正確，且當讀出的所述校驗位校驗正確時，所述冗余地址載入模塊將所述錯誤行地址和所述有效位標識存入所述寄存器組并輸出載入成功標志；

其中，所述測試模式的測試流程包括如下步驟：

步驟P1，啟動測試使能，地址比較器的輸入地址為用戶地址，所述地址比較器根據所述用戶地址、所述控制信號和所述測試使能信號產生測試的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號；

步驟P2，對所述NVM存儲陣列進行全片測試，將所述NVM存儲陣列的所述錯誤行地址及所述有效位標識寫入所述NVM存儲陣列的OTP區域的相應位置；

步驟P3，通過上電復位或開始信號進入自動載入模式；

步驟P4，將所述寄存器組更新為所述NVM存儲陣列的所述錯誤行地址和所述有效位標識，自動載入模式結束時輸出載入成功標志；

步驟P5，根據所述載入成功標志和測試使能信號，啟動測試模式微調測試結果；

所述用戶工作模式的用戶工作流程包括如下步驟：

步驟S1，通過上電復位或開始信號進入自動載入模式；

步驟S2，將所述寄存器組更新為所述NVM存儲陣列的所述錯誤行地址和所述有效位標識，自動載入模式結束時輸出載入成功標志；

步驟S3，根據所述載入成功標志和所述控制信號，啟動用戶工作模式；

步驟S4，所述地址比較器根據所述用戶地址、所述控制信號和所述寄存器組的值，產生所述存儲陣列地址和所述冗余存儲陣列使能信號，并自動使用所述冗余存儲陣列行替換所述NVM存儲陣列中的所述錯誤行。

2.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路，其特征在于，所述模式控制模塊根據所述載入成功標志、所述控制信號及外部測試模塊輸出的測試使能信號確定所述控制測試電路處于所述測試模式或所述用戶工作模式。

3.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路，其特征在于，所述自動載入模式通過上電復位或開始使能信號啟動。

4.根據權利要求2所述的非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路，其特征在于，所述控制測試電路的工作模式為測試模式時，所述地址比較器的輸入地址為所述用戶地址，其根據所述用戶地址、所述控制信號和所述測試使能信號產生測試的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號。

5.根據權利要求2所述的非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路，其特征在于，所述控制測試電路的工作模式為用戶工作模式時，所述地址比較器的輸入地址為所述用戶地址，其根據所述用戶地址、所述控制信號和所述寄存器組產生相應的存儲陣列地址和冗余存儲陣列使能信號。

6.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器冗余存儲的控制測試電路，其特征在于，所述控制測試電路的工作模式為自動載入模式時，所述地址比較器的輸入地址為所述冗余地址載入模塊的載入地址。