[發(fā)明專利]基于FinFET工藝新型DICEPG抗輻照單元在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010470224.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112017708A | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張一平;張曼 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州仙林力齊電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C7/24 | 分類號(hào)： | G11C7/24 |
| 代理公司： | 蘇州吳韻知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32364 | 代理人： | 王銘陸 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 finfet 工藝 新型 dicepg 輻照 單元 | ||
1.一種基于FinFET工藝新型DICEPG抗輻照單元，其特征在于包括基于FinFET工藝構(gòu)成的新型DICE抗輻照單元，所述新型DICE抗輻照單元包括讀字線RWL和寫字線WL，所述讀字線RWL和寫字線WL連接至相應(yīng)電平，采用存儲(chǔ)數(shù)值相同的兩端同時(shí)進(jìn)行寫操作，單端讀的方式同時(shí)使用傳輸門做傳輸管，所述電路的兩側(cè)通過閘門控制電路的接通與斷開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FinFET工藝新型DICEPG抗輻照單元，其特征在于：所述新型DICE抗輻照單元包括括第一PMOS管P0至第六PMOS管P5、以及第一NMOS管N0至第八NMOS管N7；其中第五NMOS管N4、第六NMOS管N5的柵極連接第一寫字線WL；P4、P5的柵極連接第二寫字線WLB，第五PMOS管P4和第六PMOS管P5的源極以及第五NMOS管N4和第六NMOS管N5的源極連接寫位線WBL，第五PMOS管P4的漏極和第五NMOS管N4的漏極共同輸出連接第一PMOS管P0和第一NMOS管N0的漏極、以及第二PMOS管P1和第三PMOS管P2的柵極，第六PMOS管P5的漏極和第六NMOS管N5的漏極共同輸出連接第四PMOS管P3和第二NMOS管N1的柵極、以及第二PMOS管P1和第二NMOS管N1第N2的漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FinFET工藝新型DICEPG抗輻照單元，其特征在于：所述第一NMOS管N0至第四NMOS管N3、以及第八NMOS管N7的源極接地，第七NMOS管N6的源極連接讀位線RBL。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FinFET工藝新型DICEPG抗輻照單元，其特征在于：所述第一PMOS管P0至第四PMOS管P3的源極共同連接至電源電壓端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FinFET工藝新型DICEPG抗輻照單元，其特征在于：所述電路的兩側(cè)通過閘門成似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)。
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