[發(fā)明專利]一種高效P型太陽(yáng)能電池及光伏組件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010469741.X | 申請(qǐng)日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111584650A | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鐘瀟;白玉磐;陳園;付少劍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江西展宇新能科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王雨 |
| 地址: | 334100 江西*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高效 太陽(yáng)能電池 組件 | ||
1.一種高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,包括迎光面外延層、P型基體硅及背光面外延層;
所述迎光面外延層沿遠(yuǎn)離所述P型基體硅的方向依次包括設(shè)置于所述P型基體硅的表面的非金屬區(qū)的正面鈍化層、設(shè)置于所述P型基體硅的表面的金屬區(qū)的高摻雜多晶硅層及設(shè)置于所述高摻雜多晶硅層表面的正表面電極;
所述高摻雜多晶硅層為P型半導(dǎo)體層,且摻雜濃度高于所述P型基體硅;
所述背光面外延層沿遠(yuǎn)離所述P型基體硅的方向依次包括設(shè)置于所述P型基體硅表面的背面遂穿氧化層,設(shè)置于所述背面遂穿氧化層表面的N型摻雜層、設(shè)置于所述N型摻雜層表面的金屬區(qū)的背表面電極及設(shè)置于所述N型摻雜層表面的非金屬區(qū)的背面鈍化層。
2.如權(quán)利要求1所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述高效P型太陽(yáng)能電池還包括正面遂穿氧化層;
所述正面遂穿氧化層設(shè)置于所述高摻雜多晶硅層及所述P型基體硅之間。
3.如權(quán)利要求2所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述正面遂穿氧化層及所述背面遂穿氧化層的厚度范圍為1.5納米至2.5納米,包括端點(diǎn)值。
4.如權(quán)利要求1所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述高摻雜多晶硅層的厚度范圍為50納米至150納米,包括端點(diǎn)值。
5.如權(quán)利要求1所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述高效P型太陽(yáng)能電池還包括高摻雜擴(kuò)散層;
所述高摻雜擴(kuò)散層設(shè)置于所述P型基體硅及所述正面鈍化層之間;
所述高摻雜擴(kuò)散層為P型半導(dǎo)體層,且摻雜濃度高于所述P型基體硅。
6.如權(quán)利要求1所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述正面鈍化層及所述背面鈍化層為氮化硅層。
7.如權(quán)利要求6所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述正面鈍化層的厚度范圍為75納米至85納米,所述背面鈍化層的厚度范圍為70納米至90納米,包括端點(diǎn)值。
8.如權(quán)利要求1所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述N型摻雜層的厚度為50納米至150納米,包括端點(diǎn)值。
9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的高效P型太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述高效P型太陽(yáng)能電池為表面制絨太陽(yáng)能電池。
10.一種光伏組件,其特征在于,所述光伏組件包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的高效P型太陽(yáng)能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





