[發明專利]處理工件的方法和處理工件的系統

在審

• 申請號: 202010469579.1
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN112017995A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 星野仁志;扎米米爾·阿吉羅夫;湯平泰吉;卡爾·海因茲·普里瓦瑟
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/78;B23K26/122;B23K26/352;B23K26/70
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 王皓

本發明涉及一種處理工件的方法和處理工件的系統。該工件(2、102)具有第一表面(4、104)、與第一表面(4、104)相對的第二表面(6、106)、和在第一表面與第二表面之間延伸的第三表面(8、108)。該方法包括在工件(2、102)內側形成修改區域(16)，以便在工件(2、102)中創建開口(18)。開口(18)延伸至第一表面、第二表面和第三表面的至少一個。該方法還包括，在工件(2、102)內側形成修改區域(16)之后，將液體介質(20、120)引入到至少一些開口(18)中；以及在將液體介質(20、120)引入到至少一些開口(18)中之后，將外部刺激施用至液體介質(20、120)，以便增加介質(20、120)的體積。本發明還涉及用于執行該方法的工件處理系統。

相關申請的交叉引用

本申請請求于2019年5月31日遞交德國專利商標局的10 2019 207 990.3號德國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明涉及一種處理諸如晶圓、基板或鑄件的工件的方法，該工件具有第一表面、與該第一表面相對的第二表面、以及在該第一表面和該第二表面之間延伸的第三表面。此外，本發明涉及一種用于執行該方法的系統。

背景技術

在基板、諸如晶圓、例如半導體晶圓上，通過在基板的前表面上設置設備層來形成諸如集成電路(intergrated circuits,ICs)、大規模集成(large scale integrations,LSIs)和發光二極管(light emitting diodes,LEDs)的設備。該基板可以為由例如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、或硅(Si)等制成的晶圓。該設備可以為例如半導體設備、光學設備或電力組件。

例如，在光學設備制造過程中，例如由n型氮化物半導體層和p型氮化物半導體層組成的光學設備層形成在諸如碳化硅基板、氮化鎵基板或藍寶石基板的單晶基板的前表面上。光學設備層由交叉分劃線(crossing division line)(也稱為“街道(street)”)分割(partition)，以限定分離區域(separate region)，在該分離區域中分別形成有光學設備，諸如發光二極管和激光二極管。通過在單晶基板的前側上設置光學設備層，形成了光學設備晶圓。光學設備晶圓沿分劃線分離、例如切割，以劃分(divide)在其中形成光學設備的分離區域，從而獲得作為芯片(chip)或裸片(dies)的單獨的光學設備。

照慣例，這樣的光學設備晶圓或其他類型的晶圓，例如通過機械刀片切割、激光燒蝕切割、隱形激光切割或等離子體切割而被劃分成單獨的芯片或裸片。

隱形激光切割、即通過施用激光束在晶圓內形成修改區域(modified region)，允許分劃線寬度減小，使得可以從晶圓獲得的芯片或裸片的數量增加。然而，在已知的方法中，存在的問題在于，在切割過程中，一些芯片或裸片可能至少沒有彼此完全(fully)分離。對于具有小尺寸的芯片或裸片的情況，這個問題尤為顯著。如果使用額外的破碎工具來確保芯片或裸片完整(complete)分離，則晶圓會承受增加的機械應力，導致可能損壞芯片或裸片。

待在其上形成設備層的諸如晶圓的基板，通常通過切割諸如鑄件的工件來獲得。當切割工件時，可能會發生與以上對于切割諸如晶圓的基板的情況識別的那些問題類似的問題。特別地，在切割過程中，存在基板可能無法與工件的剩余物恰當地分離和/或基板受損的風險。

因此，仍然需要處理諸如晶圓、基板或鑄件的工件的方法，該方法允許以有效且可靠的方式處理工件，并且仍然需要用于執行這樣的方法的系統。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種處理諸如晶圓、基板或鑄件的工件的方法，該方法允許以有效且可靠的方式來處理工件。此外，本發明目的在于提供一種用于執行該方法的工件處理系統。這些目標通過具有權利要求1的技術特征的工件處理方法、以及具有權利要求12的技術特征的工件處理系統來實現。本發明的優選實施方案從從屬權利要求得出。