[發明專利]處理工件的方法和處理工件的系統在審
| 申請號: | 202010469579.1 | 申請日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN112017995A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 星野仁志;扎米米爾·阿吉羅夫;湯平泰吉;卡爾·海因茲·普里瓦瑟 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/78;B23K26/122;B23K26/352;B23K26/70 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 王皓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 工件 方法 系統 | ||
1.一種處理工件(2、102)的方法,所述工件(2、102)具有第一表面(4、104)、與所述第一表面(4、104)相對的第二表面(6、106)、和在所述第一表面(4、104)與所述第二表面(6、106)之間延伸的第三表面(8、108),其中,所述方法包括:
在所述工件(2、102)內側形成修改區域(16),以便在所述工件(2、102)中創建開口(18),所述開口(18)延伸至所述第一表面(4、104)、所述第二表面(6、106)和所述第三表面(8、108)的至少一個;
在所述工件(2、102)內側形成所述修改區域(16)之后,將液體介質(20、120)引入到至少一些所述開口(18)中;以及
在將所述液體介質(20、120)引入到所述至少一些所述開口(18)中之后,將外部刺激施用至所述液體介質(20、120),以便增加所述介質(20、120)的體積。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述工件(2、102)內側形成所述修改區域(16)包括將激光束(LB)施用至所述工件(2、102),或由將激光束(LB)施用至所述工件(2、102)組成。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述工件(2、102)由對所述激光束(LB)透明的材料制成;并且在所述激光束(LB)的焦點位于所述工件(2、102)內側的情況下,或者在所述激光束(LB)的所述焦點位于所述第一表面(4、104)上、所述第二表面(6、106)上、或所述第三表面(8、108)上的情況下,將所述激光束(LB)施用至所述工件(2、102)。
4.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,將所述外部刺激施用至所述液體介質(20、120)包括加熱所述液體介質(20、120)或冷卻所述液體介質(20、120),或由加熱所述液體介質(20、120)或冷卻所述液體介質(20、120)組成。
5.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,將所述外部刺激施用至所述液體介質(20、120)包括將電場和/或磁場施用至所述液體介質(20、120),或由將電場和/或磁場施用至所述液體介質(20、120)組成。
6.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,將所述外部刺激施用至所述液體介質(20、120)誘導所述液體介質(20、120)的相變,以便增加所述介質(20、120)的體積。
7.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,所述開口(18)是所述工件中的裂紋。
8.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,通過將所述液體介質(20、120)或所述液體介質(20、120)的蒸汽施用至所述開口(18)延伸到的所述第一表面(4、104)、所述第二表面(6、106)和所述第三表面(8、108)的至少一個,來將所述液體介質(20、120)引入到所述至少一些所述開口(18)中,使得至少一部分所述液體介質(20、120)至少部分地進入到所述開口(18)中。
9.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,所述液體介質(20、120)是水。
10.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,所述液體介質(20、120)包含表面活性劑。
11.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其中,所述修改區域(16)包括無定型區域或形成有裂紋的區域、或者是無定型區域或形成有裂紋的區域。
12.一種處理工件(2、102)的系統,所述工件(2、102)具有第一表面(4、104)、與所述第一表面(4、104)相對的第二表面(6、106)、和在所述第一表面(4、104)與所述第二表面(6、106)之間延伸的第三表面(8、108),其中,所述系統包括:
修改區域形成裝置,其配置為在所述工件(2、102)內側形成修改區域(16),以便在所述工件(2、102)中創建開口(18),所述開口(18)延伸至所述第一表面(4、104)、所述第二表面(6、106)和所述第三表面(8、108)的至少一個;
液體介質供應裝置,其配置為將液體介質(20、120)引入到至少一些所述開口(18)中;以及
外部刺激施用裝置,其配置為將外部刺激施用至被引入到所述至少一些所述開口(18)中的所述液體介質(20、120),以便增加所述介質(20、120)的體積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





