[發(fā)明專利]一種ORing MOSFET控制電路及電源并聯(lián)系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010469460.4 | 申請日: | 2020-05-28 | 
| 公開(公告)號: | CN111600460A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸家珍;劉志業(yè) | 申請(專利權(quán))人: | 順科電氣技術(shù)(深圳)有限公司 | 
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08;H02M1/32;H02J1/10 | 
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 胡吉科 | 
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼: | 廣東;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 oring mosfet 控制電路 電源 并聯(lián) 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明提供了一種ORing MOSFET控制電路,包括控制單元和MOS管Q2,所述控制單元包括信號采集及放大電路、電阻分壓濾波電路和比較器電路,所述信號采集及放大電路的輸出端與所述電阻分壓濾波電路的輸入端連接,所述電阻分壓濾波電路的輸出端與所述比較器電路的輸入端連接,所述比較器電路的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接,所述MOS管Q2的源極接內(nèi)部電壓V_IN,所述MOS管Q2的漏極接外部電壓V_OUT。本發(fā)明的有益效果是:提高M(jìn)OSFET驅(qū)動電壓,降低了導(dǎo)通損耗,提高了電路效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及控制電路,尤其涉及一種ORing MOSFET控制電路及電源并聯(lián)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)ORing MOSFET控制電路的損耗較大,電源效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明提供了一種ORing MOSFET控制電路及電源并聯(lián)系統(tǒng)。
本發(fā)明提供了一種ORing MOSFET控制電路,包括控制單元和MOS管Q2,所述控制單元包括信號采集及放大電路、電阻分壓濾波電路和比較器電路,所述信號采集及放大電路的輸出端與所述電阻分壓濾波電路的輸入端連接,所述電阻分壓濾波電路的輸出端與所述比較器電路的輸入端連接,所述比較器電路的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接,所述MOS管Q2的源極接內(nèi)部電壓V_IN,所述MOS管Q2的漏極接外部電壓V_OUT。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述信號采集及放大電路包括二極管D1A、二極管D1B、三極管Q1A、三極管Q1B,所述三極管Q1A的集電極接電阻R4后接供電電壓VCC,所述三極管Q1A的基極與所述三極管Q1B的基極連接,所述三極管Q1A的發(fā)射極與所述二極管D1A的陽極連接,所述二極管D1A的陰極接外部電壓V_OUT,所述三極管Q1B的集電極接供電電壓VCC,所述三極管Q1B的發(fā)射極與所述二極管D1B的陽極連接,所述二極管D1B的陰極接內(nèi)部電壓V_IN。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述二極管D1A、二極管D1B的參數(shù)一致,所述三極管Q1A、三極管Q1B的參數(shù)一致。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述電阻分壓濾波電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3和電容C1,所述電阻R1的一端接供電電壓VCC,所述電阻R1的另一端接所述三極管Q1B的集電極,所述電阻R2的一端連接于所述電阻R1、三極管Q1B的集電極之間,所述電阻R2的另一端分別與所述電阻R3的一端、電容C1的一端、比較器電路的輸入端連接,所述電阻R3的另一端接內(nèi)部電壓V_IN,所述電容C1的另一端接內(nèi)部電壓V_IN。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述比較器電路包括比較器U1、電阻R5、電阻R6、電阻R7,所述比較器U1的正輸入端接所述電阻R5后與所述電阻R2連接,所述比較器U1的負(fù)輸入端接所述電阻R6后接參考電壓VREF,所述比較器U1的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接,所述電阻R7的一端與所述比較器U1的正輸入端連接,所述電阻R7的另一端與所述比較器U1的輸出端連接。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述比較器U1的輸出端與所述MOS管Q2的柵極之間串聯(lián)有電阻R8。
本發(fā)明還提供了一種電源并聯(lián)系統(tǒng),包括如上述中作一項所述的ORing MOSFET控制電路。
本發(fā)明的有益效果是:通過上述方案,提高M(jìn)OSFET驅(qū)動電壓,降低了導(dǎo)通損耗,提高了電路效率。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一種ORing MOSFET控制電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖說明及具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
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