[發明專利]一種ORing MOSFET控制電路及電源并聯系統

在審

• 申請號: 202010469460.4
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111600460A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 陸家珍;劉志業
• 申請（專利權）人: 順科電氣技術（深圳）有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/32;H02J1/10
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 胡吉科

1.一種ORing MOSFET控制電路，其特征在于：包括控制單元和MOS管Q2，所述控制單元包括信號采集及放大電路、電阻分壓濾波電路和比較器電路，所述信號采集及放大電路的輸出端與所述電阻分壓濾波電路的輸入端連接，所述電阻分壓濾波電路的輸出端與所述比較器電路的輸入端連接，所述比較器電路的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接，所述MOS管Q2的源極接內部電壓V_IN，所述MOS管Q2的漏極接外部電壓V_OUT。

2.根據權利要求1所述的ORing MOSFET控制電路，其特征在于：所述信號采集及放大電路包括二極管D1A、二極管D1B、三極管Q1A、三極管Q1B，所述三極管Q1A的集電極接電阻R4后接供電電壓VCC，所述三極管Q1A的基極與所述三極管Q1B的基極連接，所述三極管Q1A的發射極與所述二極管D1A的陽極連接，所述二極管D1A的陰極接外部電壓V_OUT，所述三極管Q1B的集電極接供電電壓VCC，所述三極管Q1B的發射極與所述二極管D1B的陽極連接，所述二極管D1B的陰極接內部電壓V_IN。

3.根據權利要求2所述的ORing MOSFET控制電路，其特征在于：所述二極管D1A、二極管D1B的參數一致，所述三極管Q1A、三極管Q1B的參數一致。

4.根據權利要求2所述的ORing MOSFET控制電路，其特征在于：所述電阻分壓濾波電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3和電容C1，所述電阻R1的一端接供電電壓VCC，所述電阻R1的另一端接所述三極管Q1B的集電極，所述電阻R2的一端連接于所述電阻R1、三極管Q1B的集電極之間，所述電阻R2的另一端分別與所述電阻R3的一端、電容C1的一端、比較器電路的輸入端連接，所述電阻R3的另一端接內部電壓V_IN，所述電容C1的另一端接內部電壓V_IN。

5.根據權利要求4所述的ORing MOSFET控制電路，其特征在于：所述比較器電路包括比較器U1、電阻R5、電阻R6、電阻R7，所述比較器U1的正輸入端接所述電阻R5后與所述電阻R2連接，所述比較器U1的負輸入端接所述電阻R6后接參考電壓VREF，所述比較器U1的輸出端與所述MOS管Q2的柵極連接，所述電阻R7的一端與所述比較器U1的正輸入端連接，所述電阻R7的另一端與所述比較器U1的輸出端連接。

6.根據權利要求5所述的ORing MOSFET控制電路，其特征在于：所述比較器U1的輸出端與所述MOS管Q2的柵極之間串聯有電阻R8。

7.一種電源并聯系統，其特征在于：包括如權利要求1至6中作一項所述的ORingMOSFET控制電路。