[發明專利]集成電路及其形成方法

有效

• 申請號: 202010468368.6
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN112018069B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 陳奕寰;周建志;亞歷山大·卡爾尼斯基;鄭光茗
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768;H01L27/06;H01L21/822
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路，包括：

半導體襯底，具有前側和后側；

淺溝槽隔離區，延伸至半導體襯底的前側內，并填充有介電材料；以及

第一電容器板和第二電容器板，從所述半導體襯底的前側延伸至所述淺溝槽隔離區內，所述第一電容器板和所述第二電容器板分別具有第一側壁結構和第二側壁結構，所述第一側壁結構和所述第二側壁結構彼此基本平行并且通過所述淺溝槽隔離區的介電材料彼此分隔開，

所述集成電路還包括具有柵電極的晶體管，

或者，所述第一電容器板、所述第二電容器板、所述柵電極以及所述淺溝槽隔離區的頂表面齊平；

或者，所述柵電極下方的淺溝槽隔離區圍繞著所述第一電容器板和所述第二電容器板以及所述柵電極下方的鰭。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一電容器板和所述第二電容器板具有第一底面和第二底面，并且所述第一底面和所述第二底面分別設置在距所述半導體襯底的前側的第一深度處和第二深度處，所述第一深度和所述第二深度彼此相等。

3.根據權利要求2所述的集成電路，進一步包括：

第三電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中，其中，所述第三電容器板具有第三底面，所述第三底面設置在所述半導體襯底的前側下方的第三深度處，其中，所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度彼此相等或其中，所述第三深度不同于所述第一深度和所述第二深度。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一電容器板和所述第二電容器板具有第一底面和第二底面，并且所述第一底面和所述第二底面分別設置在距所述半導體襯底的前側的第一深度處和第二深度處，所述第一深度和所述第二深度彼此不同。

5.根據權利要求4所述的集成電路，進一步包括：

第三電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中，其中，所述第三電容器板具有第三底面，所述第三底面設置在所述半導體襯底的前側下方的第三深度處，其中，所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度彼此不同。

6.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

第三電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中，其中，所述第一電容器板和所述第二電容器板通過第一距離彼此間隔開，并且所述第二電容器板和所述第三電容器板通過第二距離彼此間隔開，所述第二距離等于所述第一距離。

7.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

第三電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中，其中，所述第一電容器板和所述第二電容器板通過第一距離彼此間隔開，并且所述第二電容器板和所述第三電容器板通過第二距離彼此間隔開，所述第二距離不同于所述第一距離。

8.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

第三電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中；以及

金屬線，在所述第一電容器板、所述第二電容器板和所述第三電容器板中的至少兩個的上方水平延伸并直接將所述第一電容器板、所述第二電容器板和所述第三電容器板中的至少兩個彼此連接。

9.根據權利要求1所述的集成電路，進一步包括：

第三電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中，其中，所述第二電容器板布置在所述第一電容器板和所述第三電容器板之間；以及

第四電容器板，設置在所述淺溝槽隔離區中，其中，所述第三電容器板布置在所述第二電容器板和所述第四電容器板之間，并且

其中，所述第一電容器板、所述第二電容器板、所述第三電容器板和所述第四電容器板在第一方向上彼此平行地延伸并且在所述第一方向上具有相等的長度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有彼此對準的相應端部。