[發明專利]提升固態硬盤數據通路可靠性的方法、裝置、計算機設備及存儲介質

有效

• 申請號: 202010467759.6
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111625199B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 高灣灣;臧鑫;馮元元
• 申請（專利權）人: 深圳憶聯信息系統有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 巫苑明

本發明涉及提升固態硬盤數據通路可靠性的方法、裝置、計算機設備及存儲介質；其中，方法，包括：NVMe接收主機發出的命令；判斷主機發出的命令是否為寫命令；若是，NVMe將待寫入數據從主機取出，對待寫入數據增加校驗位，將增加校驗位后的待寫入數據存儲至DRAM，將寫命令傳遞至FTL；更新映射表，將寫命令傳遞至NFC；NFC從DRAM中取出待寫入數據，對待寫入數據進行校驗；判斷待寫入數據校驗是否通過；若通過，將待寫入數據寫入閃存中；若未通過，則進行錯誤處理。本發明通過對寫入DRAM的數據加入校驗位，當數據被讀取時進行校驗，校驗通過才能繼續操作，校驗失敗進行錯誤處理，有效提升了數據通路可靠性。

技術領域

本發明涉及固態硬盤數據可靠性技術領域，更具體地說是指提升固態硬盤數據通路可靠性的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。

背景技術

作為一種存儲類型的固態硬盤，SSD(Solid?State?Disk，固態硬盤)的數據安全是非常重要的，SSD主要由主控、緩存、閃存模塊組成，閃存掉電不易失，主要是作為數據存儲的介質，而緩存掉電易失，主要服務與數據通路；固態硬盤的數據安全主要包括閃存數據保護、數據通路保護。

現有的數據從Host(主機)到Flash(閃存)會經過DRAM(Dynamic?Random?AccessMemory，動態隨機存取存儲器)，而且FTL(Flash?Translation?Layer，閃存轉換算法模塊)映射表也會占據DRAM的大部分空間，相比SRAM(Static?Random-Access?Memory，靜態隨機存取存儲器)而言，DRAM更容易因比特翻轉而出錯；因此，數據在傳輸過程中，極有可能因為DRAM的比特翻轉，而發生錯誤，如果Host數據出錯，則錯誤數據會被當成正確數據被存到Flash中，如果映射表發生錯誤，則數據的存取就會發生偏差，如果這些錯誤不能加以修正，就會影響固態硬盤的數據可靠性和完整性。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供提升固態硬盤數據通路可靠性的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

提升固態硬盤數據通路可靠性的方法，包括以下步驟：

NVMe接收主機發出的命令；

判斷主機發出的命令是否為寫命令；

若為寫命令，則NVMe將待寫入數據從主機取出，并對待寫入數據增加校驗位，將增加校驗位后的待寫入數據存儲至DRAM，同時將寫命令傳遞至FTL；

FTL根據寫命令更新映射表，并將寫命令傳遞至NFC；

NFC從DRAM中取出待寫入數據，并對待寫入數據進行校驗；

判斷待寫入數據校驗是否通過；

若是通過，將待寫入數據寫入閃存中；

若未通過，則進行錯誤處理。

其進一步技術方案為：所述步驟“判斷主機發出的命令是否為寫命令”中，若不為寫命令，則NVMe將主機發出的命令傳遞至FTL；

FTL根據命令查詢映射表中的對應項，將映射結果更新至命令中，并將更新后的命令傳遞至NFC；

NFC將待讀取數據從閃存中讀出，并對待讀取數據增加校驗位，將增加校驗位后的待讀取數據存儲至DRAM，同時將命令處理結果通過FTL傳遞至NVMe；

NVMe從DRAM中取出待讀取數據，并對待讀取數據進行校驗；

判斷待讀取數據校驗是否通過；

若是通過，將待讀取數據搬移至主機緩存中；

若未通過，則進行錯誤處理。