[發明專利]等離子體處理方法

在審

• 申請號: 202010467289.3
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN111653466A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 金子健吾;廣瀨潤
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供一種等離子體處理方法，使用一個等離子體處理裝置，執行供給至基座的高頻功率和所要求的基片的面內溫度分布不同的多個步驟。一個實施方式的等離子體處理方法包括：在腔室內對基片實施第1等離子體處理的步驟；和在腔室內對基片實施第2等離子體處理的步驟。在實施第1等離子體處理的步驟中，驅動靜電吸盤的吸盤主體內的多個第1加熱器，驅動該吸盤主體內的多個第2加熱器。在實施第2等離子體處理的步驟中，至少使多個第2加熱器的驅動停止。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種等離子體處理方法。

背景技術

在半導體器件等電子器件的制造中，使用等離子體處理裝置。等離子體處理裝置一般包括腔室主體和載置臺。腔室主體提供其內部空間作為腔室。載置臺設置在腔室內。載置臺支承載置在其之上的基片。

載置臺包括靜電吸盤。靜電吸盤具有基座和吸盤主體。基座與高頻電源連接。吸盤主體設置在基座上。吸盤主體在該吸盤主體與載置在其之上的基片之間產生靜電引力，利用產生的靜電引力保持基片。

載置臺一般具有溫度調節功能。具備具有溫度調節功能的載置臺的等離子體處理裝置記載在專利文獻1中。在專利文獻1記載的等離子體處理裝置的載置臺形成有供給熱交換介質(例如，制冷介質)的流路。另外，在吸盤主體內設置有多個加熱器(電阻發熱加熱器)。多個加熱器各自被交流電源交流驅動。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-6875號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

在等離子體處理中，有時對基片進行多個步驟。在多個步驟中，供給至基座的高頻的功率和所要求的基片的面內溫度分布不同。為了對基片實施這樣的多個步驟，通常多個步驟各自使用專用的多個等離子體處理裝置。基于這樣的背景，要求使用一個等離子體處理裝置，執行供給至基座的高頻的功率和所要求的基片的面內溫度分布不同的多個步驟。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式提供一種等離子體處理方法。使用等離子體處理裝置執行該等離子體處理方法。等離子體處理裝置包括腔室主體、載置臺和高頻電源。腔室主體提供其內部空間作為腔室。載置臺在腔室內支承基片。載置臺包括供電部和靜電吸盤。供電部提供傳輸來自高頻電源的高頻的傳輸路徑。靜電吸盤包括基座和吸盤主體。基座具有導電性，設置在供電部上，與供電部電連接。吸盤主體設置在基座上，利用靜電引力保持基片。吸盤主體具有多個第1加熱器和多個第2加熱器。多個第1加熱器以在與吸盤主體的中心軸線正交的該吸盤主體內的面上分布的方式設置在該吸盤主體內。多個第2加熱器的個數比多個第1加熱器的個數多。多個第2加熱器以在與吸盤主體的中心軸線正交的該吸盤主體內的另一面上分布的方式設置在該吸盤主體內。等離子體處理裝置還包括第1加熱器控制器和第2加熱器控制器。第1加熱器控制器利用來自第1電源的交流或直流的輸出對多個第1加熱器進行驅動。第2加熱器控制器利用來自第2電源的交流或直流的輸出對多個第2加熱器進行驅動，所述第2電源具有比來自第1電源的所述輸出的功率低的功率。

在基片載置在吸盤主體上的狀態下執行本發明的一個方式的等離子體處理方法。該等離子體處理方法包括：在腔室內對基片實施第1等離子體處理的步驟；和在腔室內對基片實施第2等離子體處理的步驟。在實施第2等離子體處理的步驟中從高頻電源供給至基座的高頻的功率，比在實施第1等離子體處理的步驟中從高頻電源供給至基座的高頻的功率大。在實施第1等離子體處理的步驟中，利用來自第1加熱器控制器的多個第1輸出來驅動多個第1加熱器，利用來自第2加熱器控制器的多個第2輸出來驅動多個第2加熱器。在實施第2等離子體處理的步驟中，至少使多個第2加熱器的驅動停止，將第2電源與第2加熱器控制器之間的連接切斷。