[發(fā)明專利]等離子體處理方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010467289.3
• 申請(qǐng)日: 2018-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN111653466A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金子健吾;廣瀨潤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種使用等離子體處理裝置執(zhí)行的等離子體處理方法，其特征在于：

所述等離子體處理裝置包括：

提供腔室的腔室主體；

在所述腔室內(nèi)支承基片的載置臺(tái)；和

高頻電源，

所述載置臺(tái)包括：

供電部，其提供傳輸來自所述高頻電源的高頻的傳輸路徑；和

具有基座和吸盤主體的靜電吸盤，其中，所述基座具有導(dǎo)電性，設(shè)置在所述供電部上，與所述供電部電連接，所述吸盤主體設(shè)置在所述基座上，利用靜電引力保持基片，

所述吸盤主體包括：

設(shè)置在該吸盤主體內(nèi)的多個(gè)第1加熱器，該多個(gè)第1加熱器在與該吸盤主體的中心軸線正交的該吸盤主體內(nèi)的面上分布；和

設(shè)置在該吸盤主體內(nèi)的多個(gè)第2加熱器，該多個(gè)第2加熱器的個(gè)數(shù)比所述多個(gè)第1加熱器的個(gè)數(shù)多，所述多個(gè)第2加熱器在與所述中心軸線正交的該吸盤主體內(nèi)的另一面上分布，

所述等離子體處理裝置還包括：

第1加熱器控制器，其利用來自第1電源的交流或直流的輸出對(duì)所述多個(gè)第1加熱器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；和

第2加熱器控制器，其利用來自第2電源的交流或直流的輸出對(duì)所述多個(gè)第2加熱器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，所述第2電源具有比來自所述第1電源的所述輸出的功率低的功率，

所述等離子體處理方法在所述基片載置在所述吸盤主體上的狀態(tài)下執(zhí)行，包括：

在所述腔室內(nèi)對(duì)所述基片實(shí)施第1等離子體處理的步驟；和

在所述腔室內(nèi)對(duì)所述基片實(shí)施第2等離子體處理的步驟，

在所述實(shí)施第2等離子體處理的步驟中從所述高頻電源供給至所述基座的高頻的功率，比在所述實(shí)施第1等離子體處理的步驟中從所述高頻電源供給至所述基座的高頻的功率大，

在所述實(shí)施第1等離子體處理的步驟中，利用來自所述第1加熱器控制器的多個(gè)第1輸出來驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)第1加熱器，利用來自所述第2加熱器控制器的多個(gè)第2輸出來驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)第2加熱器，

在所述實(shí)施第2等離子體處理的步驟中，至少使所述多個(gè)第2加熱器的驅(qū)動(dòng)停止，將所述第2電源與所述第2加熱器控制器之間的連接切斷。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

在所述實(shí)施第2等離子體處理的步驟中，使所述多個(gè)第1加熱器的驅(qū)動(dòng)停止，將所述第1電源與所述第1加熱器控制器之間的連接切斷。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

在所述基座形成有用于供給熱交換介質(zhì)的流路，

在所述實(shí)施第2等離子體處理的步驟中，通過向所述基座的所述流路供給所述熱交換介質(zhì)來控制所述基片的溫度。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

在所述實(shí)施第2等離子體處理的步驟中從所述高頻電源供給至所述基座的高頻的所述功率為2000W以上。