[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010466454.3 | 申請日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN113345848A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曾吉生;賴律名;黃敬涵;賴虢樺;柳輝忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L25/07;H01L25/16;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：
襯底；
第一電子組件，其安置在所述襯底上，所述第一電子組件具有面對所述襯底的第一表面的背面表面；及
支撐組件，其安置在所述第一電子組件的所述背面表面與所述襯底的所述第一表面之間，
其中所述第一電子組件的所述背面表面具有連接到所述支撐組件的第一部分及從所述支撐組件暴露的第二部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進一步包括安置在所述第一電子組件的所述背面表面與所述襯底的所述第一表面之間的多個支撐組件，其中所述支撐組件彼此分隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一電子組件的所述背面表面的所述第一部分的面積為所述第一電子組件的所述背面表面的面積的約3％到約50％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述支撐組件、所述第一電子組件及所述襯底界定腔，所述腔的熱導(dǎo)率小于所述支撐組件的熱導(dǎo)率。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進一步包括蓋，所述蓋安置在所述襯底上以形成密閉性密封空間，其中所述腔的熱導(dǎo)率小于所述密閉性密封空間的熱導(dǎo)率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一電子組件的所述背面表面與所述襯底的所述第一表面之間的距離處于約15微米到約500微米的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述支撐組件的熱導(dǎo)率小于所述襯底的熱導(dǎo)率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進一步包括第二電子組件，所述第二電子組件安置在鄰近于所述第一電子組件的有源表面的熱源區(qū)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進一步包括粘著層，所述粘著層將所述支撐組件連接到所述第一電子組件的所述背面表面或所述襯底的所述第一表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一電子組件安置在所述襯底的腔內(nèi)。
11.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：
襯底；
第一電子組件，其安置在所述襯底上，所述第一電子組件具有面對所述襯底的第一表面的背面表面；及
第一絕緣體及第二絕緣體，其安置在所述第一電子組件的所述背面表面與所述襯底的所述第一表面之間，
其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體的等效熱阻大于所述襯底的熱阻。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一絕緣體的熱阻大于所述第二絕緣體的熱阻。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進一步包括安置在所述第一電子組件的所述背面表面與所述襯底的所述第一表面之間的第三絕緣體，其中所述第三絕緣體的熱阻大于所述第二絕緣體的所述熱阻。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一絕緣體為空氣、氣體或真空。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一電子組件的所述背面表面包括接觸所述第一絕緣體的第一區(qū)域及連接到所述第二絕緣體的第二區(qū)域，且所述第一區(qū)域大于所述第二區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第二絕緣體為玻璃。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進一步包括蓋，所述蓋安置在所述襯底上以形成密閉性密封空間，其中所述密閉性密封空間的熱阻大于所述第二絕緣體的熱阻。
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