[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010466454.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113345848A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾吉生;賴律名;黃敬涵;賴虢樺;柳輝忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/31 | 分類號(hào): | H01L23/31;H01L25/07;H01L25/16;B81B7/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含襯底、第一電子組件及支撐組件。所述第一電子組件安置在所述襯底上。所述第一電子組件具有面對(duì)所述襯底的第一表面的背面表面。所述支撐組件安置在所述第一電子組件的所述背面表面與所述襯底的所述第一表面之間。所述第一電子組件的所述背面表面具有連接到所述支撐組件的第一部分及從所述支撐組件暴露的第二部分。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),特別涉及一種具有振蕩器芯片的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
晶體振蕩器包含由石英晶體坯(所述石英晶體坯密閉性囊封在容器中)構(gòu)成的晶體單元,及使用晶體單元的振蕩電路。在各種電子設(shè)備中,晶體振蕩器被用作頻率及時(shí)間的參考源。此類晶體振蕩器中的一者為恒溫晶體振蕩器(OCXO),它使晶體單元的操作溫度保持恒定。因?yàn)榫w單元的操作溫度無論環(huán)境溫度如何皆保持恒定,所以O(shè)CXO能提供特別高的頻率穩(wěn)定性,并且表現(xiàn)出很小的頻率偏差。舉例來說,此類OCXO用于例如基站等通信設(shè)施中。
發(fā)明內(nèi)容
在一些實(shí)施例中,半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含襯底、第一電子組件及支撐組件。第一電子組件安置在襯底上。第一電子組件具有面對(duì)襯底的第一表面的背面表面。支撐組件安置在第一電子組件的背面表面與襯底的第一表面之間。第一電子組件的背面表面具有連接到支撐組件的第一部分及從支撐組件暴露的第二部分。
在一些實(shí)施例中,半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含襯底、第一電子組件、第一絕緣體及第二絕緣體。第一電子組件安置在襯底上。第一電子組件具有面對(duì)襯底的第一表面的背面表面。第一絕緣體及第二絕緣體安置在第一電子組件的背面表面與襯底的第一表面之間。第一絕緣體及第二絕緣體的等效熱阻大于襯底的熱阻。
在一些實(shí)施例中,制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法包含(a)提供具有腔的陶瓷襯底;(b)將絕緣體安置在腔的底表面上;及(c)將第一電子組件安置在絕緣體上,第一電子組件的背面表面具有連接到絕緣體的第一部分及從絕緣體暴露的第二部分。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí),從以下詳細(xì)描述容易理解本發(fā)明的方面。應(yīng)注意,各種特征可能未按比例繪制。事實(shí)上,為論述清楚起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4C'、圖4D及圖4E示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法。
圖5A及圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法。
具體實(shí)施方式
貫穿所述圖式及具體實(shí)施方式使用共同參考編號(hào)以指示相同或類似組件。本發(fā)明的實(shí)施例將從結(jié)合隨附圖式的以下詳細(xì)描述更易于理解。
例如“以上”、“以下”、“向上”、“左”、“右”、“向下”、“頂部”、“底部”、“豎直”、“水平”、“側(cè)”、“較高”、“下部”、“上部”、“上方”、“下方”等空間描述詞是針對(duì)某個(gè)組件或一群組件指定的,或針對(duì)一個(gè)組件或一群組件的某個(gè)平面指定的,組件的定向如關(guān)聯(lián)附圖中所示。應(yīng)理解,本文中所使用的空間描述詞僅出于說明的目的,且本文中所描述的結(jié)構(gòu)的實(shí)際實(shí)施方案可以任何定向或方式在空間上布置,其限制條件為本發(fā)明的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)不因此布置而有偏差。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司,未經(jīng)日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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