[發(fā)明專利]一種缺陷檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010466327.3
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111539955A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 瞿燕;王愷;郭浩
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/13
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明提供一種缺陷檢測方法，提供待檢測圖形的信息文件以及待檢測圖形的參考圖形；根據待檢測圖形的信息文件搜索該待檢測圖形的圖像；將參考圖形生成特征輪廓圖；將參考圖形的特征輪廓圖與所述待檢測圖形的影像進行匹配對比并重疊顯示，抓取圖形差異，本發(fā)明將參考圖形生成特征輪廓圖，并且將待檢測圖形與特征輪廓圖重疊顯示，基于缺陷掃描電鏡機臺可以準確捕獲缺陷微小差異特征參數，提高缺陷影像檢測的可讀性、高效性，為缺陷檢測高效性、準確性提供保障。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種缺陷檢測方法。

背景技術

在半導體芯片制造工藝中，缺陷檢測掃描電鏡在分析缺陷、減少缺陷，提升良率的過程中發(fā)揮著重要的作用。

隨著集成電路工藝的發(fā)展，關鍵尺寸日益變小，影響芯片良率的缺陷特征尺寸也越來越小。在實際生產過程中，缺陷檢測掃描電鏡在檢測到圖形微小變化或圖形對準偏移等情況時，依靠人工從缺陷圖像上難以準確分辨缺陷狀況。如圖1a至圖1c，其中圖1a顯示為缺陷圖形圖像；圖1b顯示為圖1a中缺陷圖形的參考圖形圖像；圖1c顯示為圖1a和圖1b對比后被虛線框出來的缺陷位置圖像；由此可見，缺陷圖形與參考圖形二者差別及其微小，很難被肉眼識別；又例如圖2a至圖2b，其中圖2a顯示為另一種缺陷圖形示意圖；圖2b顯示為圖2a中缺陷圖形的參考圖形示意圖，由此可見，缺陷圖形的整體圖案較參考圖形略小，而這些微小差異都很難被肉眼所識別。

因此，使用缺陷掃描電鏡準確檢測出缺陷，進一步推進缺陷成因的分析排查工作，提高晶圓品質，將變得至關重要。

因此，需要提出一種新的缺陷檢測方法來解決上述問題。

發(fā)明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種缺陷檢測方法，用于解決現有技術中由于缺陷檢測掃描電鏡在檢測到圖形微小變化或圖形對準偏移等情況下，難以準確分辨缺陷狀況的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種缺陷檢測方法，該方法至少包括以下步驟：步驟一、提供待檢測圖形的信息文件以及所述待檢測圖形的參考圖形；步驟二、根據所述待檢測圖形的信息文件搜索該待檢測圖形的圖像；步驟三、將所述參考圖形生成特征輪廓圖；步驟四、將所述參考圖形的特征輪廓圖與所述待檢測圖形的影像進行匹配對比并重疊顯示，抓取圖形差異。

優(yōu)選地，步驟一中的待檢測圖形的信息文件中包含該待檢測圖形的位置信息和圖像信息。

優(yōu)選地，步驟一中的所述待檢測圖形的參考圖形為所述待檢測圖形在同一片晶圓內其他多個單位芯片內的相同相對坐標的圖形，或多個相同制程的其他晶圓單元芯片相同坐標的圖形。

優(yōu)選地，步驟一中的所述參考圖形為將所述待檢測圖形在同一片晶圓內其他多個單位芯片內的相同相對坐標的圖形，或多個相同制程的其他晶圓單元芯片相同坐標的圖形經圖形分析軟件生成的一個樣本圖形。

優(yōu)選地，步驟一中的所述參考圖形為所述待檢測圖形的原始GDS文件或其他包含待檢測圖形結構、坐標信息的文件中的圖形。

優(yōu)選地，步驟二中根據所述待檢測圖形的位置信息搜索待檢測圖形的圖像。

優(yōu)選地，步驟三中將所述參考圖形生成的特征輪廓圖為二維特征輪廓圖。

優(yōu)選地，步驟三中將所述參考圖形生成的特征輪廓圖為三維特征輪廓圖。

優(yōu)選地，步驟四中抓取所述圖形差異的方法為：系統(tǒng)設置差異的區(qū)間值，若所述特征輪廓圖與所述待檢測圖形經圖形分析軟件對比后的差異值在所述區(qū)間值內，則系統(tǒng)不會報錯；若差異值不在所述區(qū)間值內，系統(tǒng)會報錯并將對比后二者的差異進行標識。