[發(fā)明專利]碲化鎘薄膜電池殘靶重復(fù)利用的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010466045.3 | 申請日: | 2020-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN111647857A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 文崇斌;余芳;朱劉;童培云 | 申請(專利權(quán))人: | 先導(dǎo)薄膜材料(廣東)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 顏希文 |
| 地址: | 511517 廣東省清*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碲化鎘 薄膜 電池 重復(fù) 利用 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種碲化鎘薄膜電池殘靶重復(fù)利用的方法。本發(fā)明通過對碲化鎘薄膜電池殘靶進行預(yù)處理,破碎、過篩后,得到殘靶粉末,并將殘靶粉末摻入碲化鎘薄膜電池靶材新粉中,通過真空熱壓燒結(jié)工藝制備得到致密度高、力學(xué)性能好、純度高的碲化鎘薄膜電池靶材。本發(fā)明在不影響碲化鎘薄膜電池靶材性能的前提下,實現(xiàn)了碲化鎘薄膜電池殘靶的充分回收利用,減少了廢料的產(chǎn)生。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及濺射靶材回收利用技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種碲化鎘薄膜電池殘靶重復(fù)利用的方法。
背景技術(shù)
濺射法是目前制備薄膜材料的主要技術(shù)之一,而濺射沉積薄膜的原材料即為靶材,采用靶材濺射沉積制備得到的薄膜致密度高,附著性好。20世紀(jì)90年代以來,微電子行業(yè)新器件和新材料發(fā)展迅速,電子、磁性、光學(xué)、光電和超導(dǎo)薄膜等已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高新技術(shù)和工業(yè)領(lǐng)域,促使濺射靶材市場規(guī)模日益擴大。如今,靶材已蓬勃發(fā)展成為一個專業(yè)化產(chǎn)業(yè)。
碲化鎘(CdTe)作為一種極其重要的半導(dǎo)體材料,其理論轉(zhuǎn)換效率達30%,是非常理想的光伏材料,因此,通常被制作成靶材用于制備薄膜太陽能電池。碲化鎘薄膜電池除了采用CdTe作為吸收層,還需要其他材料作為窗口層、TCO層等組成一個完整的薄膜太陽能電池,通常這些材料和CdTe統(tǒng)稱為碲化鎘薄膜電池材料,采用這些材料制備得到的靶材則稱為碲化鎘薄膜電池靶材,碲化鎘薄膜電池靶材包括CdTe靶材、碲鋅鎘靶材、碲化鋅靶材、氧化鎘靶材、錫酸鎘靶材等。
一般碲化鎘薄膜電池平面靶材的利用率為15%-30%,旋轉(zhuǎn)靶的利用率為60%-80%,目前濺射后的殘靶,通常都是只回收里面某些有用或有害物質(zhì),殘靶的加工回收利用率較低,這樣不僅造成了資源的浪費,同時在回收過程中加大了對環(huán)境的污染。
基于碲化鎘薄膜電池殘靶的回收利用現(xiàn)狀,本發(fā)明旨在發(fā)明一種對碲化鎘薄膜電池殘靶進行重復(fù)利用的方法,提高殘靶的加工回收利用率,減少殘靶廢料的產(chǎn)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種碲化鎘薄膜電池殘靶重復(fù)利用的方法,本發(fā)明將回收后的碲化鎘薄膜電池殘靶用于制備致密度高、力學(xué)性能好、純度高的新靶材,實現(xiàn)了殘靶的充分利用,減少靶材廢料的產(chǎn)生。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
一種碲化鎘薄膜電池殘靶重復(fù)利用的方法,包括以下步驟:
(1)將碲化鎘薄膜電池殘靶進行預(yù)處理,破碎、過篩后,得到殘靶粉末;
(2)將步驟(1)的殘靶粉末加入到碲化鎘薄膜電池靶材新粉中,球磨,得到混合粉末;
(3)將步驟(2)的混合粉末進行真空熱壓燒結(jié),得到碲化鎘薄膜電池靶材。
本發(fā)明通過對碲化鎘薄膜電池殘靶進行預(yù)處理,破碎、過篩后,得到殘靶粉末,再將殘靶粉末摻入碲化鎘薄膜電池靶材新粉中,通過真空熱壓燒結(jié)工藝制備得到碲化鎘薄膜電池新靶返用,減少酸溶等環(huán)境污染大的工序,工藝流程簡單,大大提高了殘靶的回收利用率,生產(chǎn)效率高,適合大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明制備的碲化鎘薄膜電池靶材致密度高、力學(xué)性能良好、純度高,可以用于制備碲化鎘薄膜電池。
優(yōu)選地,所述步驟(2)中,殘靶粉末的加入量為碲化鎘薄膜電池靶材新粉的質(zhì)量的10%~25%。
與碲化鎘薄膜電池靶材新粉相比,殘靶粉末的活性稍低,殘靶粉末的加入量過高,在同等真空熱壓燒結(jié)條件下,會導(dǎo)致碲化鎘薄膜電池靶材的致密度和強度有所降低,本發(fā)明通過試驗確定合適的殘靶粉末的加入量,在不明顯影響碲化鎘薄膜電池靶材性能的前提下,提高碲化鎘薄膜電池殘靶的利用率,減少廢料的產(chǎn)生。
優(yōu)選地,所述步驟(2)中,球磨的時間為5~8h,使得殘靶粉末和碲化鎘薄膜電池靶材新粉充分混合均勻,從而保證靶材的一致性。
優(yōu)選地,所述步驟(1)中,所述預(yù)處理包括對碲化鎘薄膜電池殘靶進行打磨、酸洗、超聲水洗和烘干。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





