[發明專利]振動器件以及電子設備

有效

• 申請號: 202010465657.0
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN112019164B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 鐮倉知之;松澤勇介
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03B5/32
• 分類號: H03B5/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

振動器件以及電子設備。振動器件包含：硅基板，其具有貫通孔；第1端子，其配置于所述硅基板的第1面；第2端子，其配置于所述硅基板的與所述第1面相反側的第2面；布線，其通過所述貫通孔，將所述第1端子和所述第2端子電連接；樹脂層，其配置于所述布線與限定出所述貫通孔的內壁之間；二氧化硅層，其配置于所述樹脂層與所述內壁之間；以及振動元件，其與所述第1端子接合。

技術領域

本發明涉及振動器件以及電子設備。

背景技術

作為振蕩器，已知有使用石英振子等振動元件的振蕩器，其廣泛用作各種電子設備的基準頻率源、振蕩源。在振蕩器等振動器件中，振動元件被收納在具有氣密性的腔室內。

例如，在專利文獻1中公開了一種電子部件，在該電子部件中，作為使用石英振子的電子部件，將石英振子收納在具有基底基板和蓋基板的封裝的腔室內，經由形成在貫通基底基板的貫通孔中的貫通電極，將石英振子與外部連接用電極連接。在貫通孔的內側面隔著由SiO₂膜構成的絕緣膜形成有電極膜。在貫通孔的內側面形成的SiO₂膜通過CVD法形成。

專利文獻1：日本特開2017-126865號公報

與基底基板的正面以及反面相比，在貫通孔的內側面形成的SiO₂膜難以形成得較厚。因此，在基底基板與電極膜之間形成的寄生電容變大。

發明內容

本發明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或應用例來實現。

本應用例的振動器件包含：硅基板，其具有貫通孔；第1端子，其配置于所述硅基板的第1面；第2端子，其配置于所述硅基板的與所述第1面相反側的第2面；布線，其通過所述貫通孔，將所述第1端子和所述第2端子電連接；樹脂層，其配置于所述布線與限定出所述貫通孔的內壁之間；二氧化硅層，其配置于所述樹脂層與所述內壁之間；以及振動元件，其與所述第1端子接合。

本應用例的電子設備包含所述振動器件、和根據來自所述振動器件的輸出信號進行動作的運算電路。

附圖說明

圖1是示意性地示出第1實施方式的振動器件的分解立體圖。

圖2是示意性地示出第1實施方式的振動器件的俯視圖。

圖3是示意性地示出第1實施方式的振動器件的剖視圖。

圖4是示出電路部的電路結構的框圖。

圖5是示出振蕩電路的電路圖。

圖6是示意性地示出第1實施方式的振動器件的制造工序的剖視圖。

圖7是示意性地示出第1實施方式的振動器件的制造工序的剖視圖。

圖8是示意性地示出第1實施方式的振動器件的制造工序的剖視圖。

圖9是示意性地示出第1實施方式的振動器件的制造工序的剖視圖。

圖10是示意性地示出第1實施方式的振動器件的制造工序的剖視圖。

圖11是示意性地示出第1實施方式的振動器件的制造工序的剖視圖。

圖12是示意性地示出第2實施方式的振動器件的俯視圖。

圖13是示意性地示出第3實施方式的振動器件的俯視圖。

圖14是示意性地示出第4實施方式的電子設備的立體圖。

標號說明