[發(fā)明專利]一種轉(zhuǎn)移承載裝置及轉(zhuǎn)移方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010465382.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112992756A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李強(qiáng);許時(shí)淵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強(qiáng) |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 轉(zhuǎn)移 承載 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種轉(zhuǎn)移承載裝置及轉(zhuǎn)移方法。轉(zhuǎn)移承載裝置包括光源模塊,設(shè)置在光源模塊出光側(cè)的光調(diào)制模塊,多個(gè)轉(zhuǎn)移元件;光調(diào)制模塊包括入光面、多個(gè)光控區(qū)域和出光面;入光面靠近出光側(cè),出光面遠(yuǎn)離出光側(cè),光控區(qū)域設(shè)置在入光面和出光面之間;轉(zhuǎn)移元件包括第一表面和第二表面,第一表面與光調(diào)制模塊的出光面接觸,第二表面放置待轉(zhuǎn)移微元件。轉(zhuǎn)移方法包括:在轉(zhuǎn)移元件上放置待轉(zhuǎn)移的微元件;使目標(biāo)基板上的目標(biāo)轉(zhuǎn)移位置與待轉(zhuǎn)移的微元件一一對(duì)準(zhǔn);啟動(dòng)光源模塊,其射出的光線進(jìn)入光控區(qū)域;控制進(jìn)入預(yù)定光控區(qū)域的光線穿過出光面,改變相應(yīng)轉(zhuǎn)移元件的形狀帶動(dòng)其上的微元件移動(dòng)。不需要擴(kuò)晶過程,可選擇性轉(zhuǎn)移和修補(bǔ),精確度高且速度快。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微元件轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種轉(zhuǎn)移承載裝置及轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Eiode,Micro-LED)顯示面板的制造過程中,因?yàn)樽非蟾?xì)致的顯示效果,單位面積內(nèi)的Micro-LED芯片數(shù)量也呈幾何倍數(shù)增加,百萬(wàn)甚至千萬(wàn)數(shù)量的Micro-LED芯片如何從形成Micro-LED芯片的生長(zhǎng)基板高效轉(zhuǎn)移到顯示背板上完成巨量轉(zhuǎn)移,是目前急需要解決的問題。現(xiàn)有的巨量轉(zhuǎn)移方法通常是:首先將生長(zhǎng)基板與涂有光解膠或熱解膠的暫存基板進(jìn)行粘合;然后利用剝離技術(shù)技術(shù)將生長(zhǎng)基板剝離;再然后將暫存基板與顯示背板進(jìn)行對(duì)向貼合;最后利用光照或者加熱將暫存基板上的膠材進(jìn)行解膠,即將膠材粘性降低,解膠的過程耗時(shí)耗力。
另外,包括Micro-LED芯片在內(nèi)的微元件進(jìn)行轉(zhuǎn)移時(shí),要求微元件按照間距y綁定到顯示背板,即目標(biāo)基板上,而生長(zhǎng)基板上通常是按照間距x排列單一顏色的芯片。對(duì)于間距y和x相等且單一顏色芯片的巨量轉(zhuǎn)移,轉(zhuǎn)移過程相對(duì)容易一些。然而經(jīng)常存在的情況是間距y和x不相等,所以無法實(shí)現(xiàn)將生長(zhǎng)基板上的芯片直接轉(zhuǎn)移到顯示背板上。針對(duì)這個(gè)問題,目前很多現(xiàn)有巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)首先是將生長(zhǎng)基板上的芯片按照等間距轉(zhuǎn)移到暫存基板上,然后在暫存基板上完成擴(kuò)晶的工作,即將暫存基板上的芯片間距x調(diào)整到與顯示背板上的芯片間距y等距,擴(kuò)晶以后再將暫存基板上的芯片巨量轉(zhuǎn)移到顯示背板上。擴(kuò)晶過程耗時(shí)耗力,而且擴(kuò)晶過程很難保證每個(gè)芯片間距都相等,從而無法實(shí)現(xiàn)充分而精確地轉(zhuǎn)移,對(duì)于綁定不成功而脫落的芯片,修補(bǔ)困難。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本申請(qǐng)的目的在于提供一種轉(zhuǎn)移承載裝置及轉(zhuǎn)移方法,旨在解決完成包括Micro-LED芯片在內(nèi)的微元件充分轉(zhuǎn)移的同時(shí)取消擴(kuò)晶和解膠的操作。
一種轉(zhuǎn)移承載裝置,包括:光源模塊;
光調(diào)制模塊,設(shè)置在所述光源模塊的出光側(cè);所述光調(diào)制模塊包括入光面、多個(gè)光控區(qū)域和出光面;所述入光面靠近所述出光側(cè),所述出光面遠(yuǎn)離所述出光側(cè),所述光控區(qū)域設(shè)置在所述入光面和出光面之間;
多個(gè)轉(zhuǎn)移元件,所述轉(zhuǎn)移元件包括第一表面和第二表面;所述轉(zhuǎn)移元件設(shè)置在所述出光面上,其中所述轉(zhuǎn)移元件的第一表面與所述光調(diào)制模塊的出光面接觸,所述轉(zhuǎn)移元件的第二表面用于放置待轉(zhuǎn)移的微元件。
上述轉(zhuǎn)移承載裝置,光控區(qū)域之間相互獨(dú)立,可以根據(jù)目標(biāo)轉(zhuǎn)移位置,由專業(yè)技術(shù)人員選擇對(duì)應(yīng)的若干光控區(qū)域,控制進(jìn)入這些光控區(qū)域的光線穿透出光面進(jìn)入到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移元件上,使這些轉(zhuǎn)移元件發(fā)生形變,形變過程帶動(dòng)其上的微元件移動(dòng)。從而可實(shí)現(xiàn)微元件的選擇性轉(zhuǎn)移或選擇性修補(bǔ)。另外,該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用時(shí)只需對(duì)相應(yīng)的轉(zhuǎn)移元件施加光照,省時(shí)省力,提升轉(zhuǎn)移速度,降低轉(zhuǎn)移成本。
可選地,如上所述的轉(zhuǎn)移承載裝置,所述待轉(zhuǎn)移微元件的投影面積為S3,所述轉(zhuǎn)移元件的投影面積為S2,所述光控區(qū)域的投影面積為S1,滿足S1≥S2≥S3。
可選地,如上所述的轉(zhuǎn)移承載裝置,所述光源模塊包括:光源和光學(xué)透鏡,所述光源設(shè)置在所述光學(xué)透鏡的焦點(diǎn)上。所述光源射出的光線通過光學(xué)透鏡后轉(zhuǎn)為平行光線,光控效果更好。
可選地,如上所述的轉(zhuǎn)移承載裝置,所述轉(zhuǎn)移元件包括光致變形轉(zhuǎn)移元件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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