[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010465074.8
• 申請(qǐng)日: 2020-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN112133701A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁宇成;李東植;黃盛珉;任峻成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11517
• 分類號(hào): H01L27/11517;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11521
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括：水平圖案，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上并且彼此間隔開；存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置在水平圖案上，每個(gè)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)單元的三維布置。穿透絕緣圖案和分離結(jié)構(gòu)可以使水平圖案彼此隔離。貫通過孔可以延伸穿過穿透絕緣圖案，以將外圍電路結(jié)構(gòu)的邏輯電路連接到存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本專利申請(qǐng)要求于2019年6月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2019-0075814的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用一并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法，具體地，涉及一種高度集成的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法。

背景技術(shù)

需要半導(dǎo)體器件的更高集成度以滿足消費(fèi)者對(duì)優(yōu)異性能和低廉價(jià)格的需求。就半導(dǎo)體器件而言，由于其集成度是決定產(chǎn)品價(jià)格的重要因素，因此特別需要提高集成度。二維或平面半導(dǎo)體器件的集成通常高度依賴于單位存儲(chǔ)單元所占據(jù)的面積，因此受到精細(xì)圖案形成技術(shù)水平的極大影響。然而，增加圖案精細(xì)度所需的昂貴處理設(shè)備對(duì)增加二維或平面半導(dǎo)體器件的集成度設(shè)置了現(xiàn)實(shí)的限制。因此，近期已經(jīng)提出了包括三維布置的存儲(chǔ)單元的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種集成密度增加的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例還涉及制造三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上并且彼此間隔開的水平圖案；分別設(shè)置在水平圖案上的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，每個(gè)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)單元的三維布置。穿透絕緣圖案和分離結(jié)構(gòu)可以使水平圖案彼此隔離。貫通過孔可以延伸穿過穿透絕緣圖案，以將外圍電路結(jié)構(gòu)的邏輯電路連接到存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖的簡(jiǎn)要描述，將更清楚地理解示例實(shí)施例。附圖表示本文中所描述的非限制性示例實(shí)施例。

圖1是示出其上集成了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的襯底的圖。

圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的透視圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的示意性平面視圖。

圖4A、圖4B和圖4C是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的單元陣列結(jié)構(gòu)的一些示例的平面視圖。

圖5A、圖5B和圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的一部分的平面視圖。

圖6A、圖6B、圖6C和圖6D是分別沿圖5A的I-I’線、II-II’線、III-III’線和IV-IV’線截取以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面視圖。

圖7A和圖7B是分別沿圖5A的I-I’線和II-II’線截取以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面視圖。

圖8A、圖8B和圖8C是分別沿圖5A的I-I’線、II-II’線和IV-IV’線截取以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面視圖。

圖9A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的一部分的平面視圖。

圖9B是沿圖9A的V-V’線截取以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面視圖。

圖10A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的一部分的平面視圖。

圖10B是沿圖10A的VI-VI’線截取以示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面視圖。