[發(fā)明專利]低電壓敏感放大器的鉗位電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010465027.3
• 申請(qǐng)日: 2020-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN111681688B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃明永;肖軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G11C7/06
• 分類號(hào): G11C7/06;G11C7/10
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述鉗位電路工作于偏置電流源與預(yù)充電電路和開關(guān)電路之間，給Flash存儲(chǔ)器在讀數(shù)據(jù)時(shí)提供位線的鉗位電壓，所述鉗位電路包含有兩個(gè)電源端、兩個(gè)接地端、一個(gè)參考電流輸入端以及鉗位電壓輸出端；

所述的鉗位電路包含有PMOS管以及第一～第三NMOS管，所述PMOS管的柵極接地，保持常開，其源極接電源；

所述第一NMOS與第二NMOS管進(jìn)行串聯(lián)，即第二NMOS管的漏極接第一NMOS管的源極，第一NMOS管的柵極接電源，第二NMOS管的源極接地；第一NMOS管的漏極接PMOS管的漏極；

所述第三NMOS管的漏極接參考電流輸入端，第三NMOS管的源極為鉗位電路的鉗位電壓輸出端；第三NMOS管的柵極與PMOS管的漏極連接，該處形成第一節(jié)點(diǎn)電壓；

所述第二NMOS管的柵極接鉗位電路輸出端，所述鉗位電路輸出端為第二節(jié)點(diǎn)電壓；

所述第二NMOS管形成第二節(jié)點(diǎn)到第一節(jié)點(diǎn)電位的負(fù)反饋電路。

2.如權(quán)利要求1所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：通過調(diào)節(jié)所述PMOS管的柵極寬長比來控制PMOS管導(dǎo)通的強(qiáng)弱。

3.如權(quán)利要求1所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述第一NMOS管與第三NMOS管形成Cascode結(jié)構(gòu)，提高整個(gè)環(huán)路的增益。

4.如權(quán)利要求1所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述第三NMOS管采用1.2V耗盡型NMOS管，使第一節(jié)點(diǎn)電位電壓低于電源電壓，以保證第二節(jié)點(diǎn)電壓接近0.6V。

5.如權(quán)利要求1所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述第一節(jié)點(diǎn)電壓通過調(diào)節(jié)PMOS管的寬長比，以及串聯(lián)的第一NMOS和第二NMOS的導(dǎo)通強(qiáng)弱來控制第一節(jié)點(diǎn)電壓。

6.如權(quán)利要求1所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述的鉗位電路工作電壓為1.2V。

7.如權(quán)利要求1所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述的鉗位電路工作于偏置電流源及預(yù)充電電路的后端，其鉗位電壓輸出提供給Flash存儲(chǔ)器的開關(guān)電路，所述開關(guān)電路在控制信號(hào)的控制下將鉗位電壓傳輸?shù)酱鎯?chǔ)器單元的位線上；所述預(yù)充電電路在接收到預(yù)充電使能信號(hào)時(shí)能對(duì)第三NMOS管漏端節(jié)點(diǎn)充電至預(yù)充電電壓。

8.如權(quán)利要求7所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述的偏置電流源為比例電流源，其輸出電流為參考電流的30%。

9.如權(quán)利要求7所述的低電壓敏感放大器的鉗位電路，其特征在于：所述的開關(guān)電路為傳輸門。