[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管背板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010464714.3 | 申請日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN111725363A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周宇;朱充沛;王賢娜;王俊星 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/24;H01L33/36;H01L33/44;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210033 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 微型 發(fā)光二極管 背板 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管背板及其制造方法，包括如下步驟：對位于微型發(fā)光二極管的至少部分上表面的氧化鎵層去除并形成粗糙化表面。本發(fā)明微型發(fā)光二極管的上表面和側(cè)壁形成氧化鎵層，去除位于微型發(fā)光二極管的至少部分表面上的氧化鎵層，增加了出光率；至少位于微型發(fā)光二極管的側(cè)壁上的氧化鎵層不存在易剝落，能夠起到較佳的側(cè)壁保護作用，減小側(cè)壁漏電流，提高發(fā)光效率；本發(fā)明對微型發(fā)光二極管的側(cè)壁形貌無要求，工藝簡單，能夠同時達到側(cè)壁保護、出光面粗糙化的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微型發(fā)光二極管的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種微型發(fā)光二極管背板及其制造方法。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二極管器件(Mirco-LED)越來越多地被認(rèn)為是現(xiàn)有光源的替代技術(shù)。例如，在標(biāo)牌、交通信號燈、汽車尾燈、移動電子顯示器和電視中都有Mirco-LED的應(yīng)用。與傳統(tǒng)光源相比，Mirco-LED能提高轉(zhuǎn)換效率，使用壽命長，發(fā)射光譜可變以及能制成各種形狀。
現(xiàn)有Mirco-LED提供性能的方法為減小非輻射復(fù)合，使輻射復(fù)合占主導(dǎo)以及提高LED的出光率來提高LED的發(fā)光效率。為減小側(cè)壁漏電流，通常會對Mirco-LED的側(cè)壁進行保護，一般會鍍有機或無機薄膜或者使用金屬摻雜改變導(dǎo)電性，從而減小側(cè)壁的漏電流。在改善出光效率時，會通過設(shè)計封裝結(jié)構(gòu)等提到出光率。
常用的側(cè)壁保護有沉積無機絕緣層例如SiO2、SiN、MgO和Gd2O3等，它們與GaN之間存在較高的界面陷阱密度，并不能較好的解決邊緣漏電流問題。通過有機膜的側(cè)壁保護方案，有機膜存在與GaN側(cè)壁結(jié)合力不好,容易剝落、產(chǎn)生裂縫。還有一些通過摻雜方式，例如通過金屬等材料對側(cè)壁摻雜去改變GaN側(cè)壁特性，此工藝方法繁雜。
對于垂直的LED器件，上述側(cè)壁加工工藝都較復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種增加出光率和保護微型二極管層側(cè)壁的微型發(fā)光二極管背板及其制造方法。
本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，包括如下步驟：
S1：在生長襯底上依序沉積外延材料層和金屬材料層，外延材料層的材料為氮化鎵；
S2：首先生長襯底朝下翻轉(zhuǎn)使得金屬材料層位于下方，然后暫態(tài)基板通過粘合層與金屬材料層粘合連接；
S3：轉(zhuǎn)移走生長襯底；
S4：對外延材料層和金屬層進行刻蝕形成陣列分布的微型發(fā)光二極管和位于微型發(fā)光二極管下方的下接觸電極；
S5：對微型發(fā)光二極管的上的氮化鎵材料層進行氧化使得在每個微型發(fā)光二極管的上表面和各個側(cè)壁形成氧化鎵層；S6：對位于微型發(fā)光二極管的至少部分上表面的氧化鎵層去除并形成粗糙化表面；
S7：首先轉(zhuǎn)移微型發(fā)光二極管和下接觸電極至具有鍵合金屬層的背板上，使得下接觸電極與鍵合金屬層對位鍵合；最后在粗糙化表面形成沉積上接觸電極。
優(yōu)選地，步驟S6中，粗糙化表面位于微型發(fā)光二極管的部分上表面或者全部上表面上，上接觸電極的全部下表面位于粗糙化表面上，上接觸電極的底部面積不大于粗糙化表面的表面面積。
優(yōu)選地，步驟S6中，粗糙化表面位于微型發(fā)光二極管的上表面上且延伸至微型發(fā)光二極管的部分側(cè)壁上，上接觸電極的全部下表面位于粗糙化表面上且位于微型發(fā)光二極管的上表面上，上接觸電極的底部面積不大于微型發(fā)光二極的上表面的面積。
優(yōu)選地，步驟S5形成氧化鎵層的具體方法為：將沉積金屬鎵層后的暫態(tài)基板浸在酸溶液、或堿溶液或水溶液中，并輔以外加的電壓和紫外光照，形成氧化鎵層。
優(yōu)選地，步驟S5形成氧化鎵層的具體方法為：高溫高氧環(huán)境下進行氧化產(chǎn)生氧化鎵層。
優(yōu)選地，步驟S5形成氧化鎵層的具體方法為：氧氣等離子體處理形成氧化鎵層。
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