[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管背板及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010464714.3
• 申請(qǐng)日: 2020-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN111725363A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周宇;朱充沛;王賢娜;王俊星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/24;H01L33/36;H01L33/44;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在生長(zhǎng)襯底上依序沉積外延材料層和金屬材料層，其中外延材料層的材料為氮化鎵；

S2：首先生長(zhǎng)襯底朝下翻轉(zhuǎn)使得金屬材料層位于下方，然后暫態(tài)基板通過粘合層與金屬材料層粘合連接；

S3：轉(zhuǎn)移走生長(zhǎng)襯底；

S4：對(duì)外延材料層和金屬層進(jìn)行刻蝕形成陣列分布的微型發(fā)光二極管和位于微型發(fā)光二極管下方的下接觸電極；

S5：對(duì)微型發(fā)光二極管的的氮化鎵材料層進(jìn)行氧化使得在每個(gè)微型發(fā)光二極管的上表面和各個(gè)側(cè)壁形成氧化鎵層；

S6：對(duì)位于微型發(fā)光二極管的至少部分上表面的氧化鎵層去除并形成粗糙化表面；

S7：首先轉(zhuǎn)移微型發(fā)光二極管和下接觸電極至具有鍵合金屬層的背板上，使得下接觸電極與鍵合金屬層對(duì)位鍵合；最后在粗糙化表面形成沉積上接觸電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，步驟S6中，粗糙化表面位于微型發(fā)光二極管的部分上表面或者全部上表面上，上接觸電極的全部下表面位于粗糙化表面上，上接觸電極的底部面積不大于粗糙化表面的表面面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，步驟S6中，粗糙化表面位于微型發(fā)光二極管的上表面上且延伸至微型發(fā)光二極管的部分側(cè)壁上，上接觸電極的全部下表面位于粗糙化表面上且位于微型發(fā)光二極管的上表面上，上接觸電極的底部面積不大于微型發(fā)光二極的上表面的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，步驟S5形成氧化鎵層的具體方法為：將沉積金屬鎵層后的暫態(tài)基板浸在酸溶液、或堿溶液或水溶液中，并輔以外加的電壓和紫外光照，形成氧化鎵層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，步驟S5形成氧化鎵層的具體方法為：高溫高氧環(huán)境下進(jìn)行氧化產(chǎn)生氧化鎵層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，步驟S5形成氧化鎵層的具體方法為：氧氣等離子體處理形成氧化鎵層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種微型發(fā)光二極管背板的制造方法，其特征在于，步驟S5在形成氧化鎵層后，在氧化鎵層上沉積氧化鎵并形成加厚的氧化鎵層。

8.一種微型發(fā)光二極管背板，其包括背板、位于所述背板上且陣列分別的多個(gè)鍵合金屬層、與對(duì)應(yīng)鍵合金屬層鍵合連接的下接觸電極以及所述下接觸電極上的微型發(fā)光二極管，其特征在于，還包括覆蓋在所述微型發(fā)光二極管的至少部分上表面上的粗糙化表面、覆蓋在所述微型發(fā)光二極管的其余表面的氧化鎵層以及位于粗糙化表面上的上接觸電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管背板，其特征在于，所述粗糙化表面位于微型發(fā)光二極管的部分上表面或者全部上表面上，上接觸電極的全部下表面位于粗糙化表面上，上接觸電極的底部面積不大于粗糙化表面的表面面積。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管背板，其特征在于，所述粗糙化表面位于微型發(fā)光二極管的上表面上且延伸至微型發(fā)光二極管的部分側(cè)壁上，上接觸電極的全部下表面位于粗糙化表面上且位于微型發(fā)光二極管的上表面上，上接觸電極的底部面積不大于微型發(fā)光二極的上表面的面積。