[發(fā)明專利]一種LED陣列基板的制備方法、LED陣列基板、面板及設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010464229.6
• 申請(qǐng)日: 2020-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN111554783B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳啟燊;秦快;郭恒;王森;謝宗賢;張普翔;馮飛成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市國(guó)星光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/54;H01L33/00;H01L25/16;G09F9/30
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開一種LED陣列基板的制備方法、LED陣列基板、面板及設(shè)備，方法包括：提供載體基板，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在第二區(qū)域內(nèi)形成凸起結(jié)構(gòu)；在第一區(qū)域內(nèi)形成TFT陣列，凸起結(jié)構(gòu)的表面高于TFT陣列的表面；在凸起結(jié)構(gòu)上形成金屬焊盤，在TFT陣列上形成緩沖層，緩沖層用于吸收固定LED發(fā)光晶片過程中對(duì)TFT陣列產(chǎn)生的壓力。由于凸起結(jié)構(gòu)的表面高于TFT陣列的表面，印刷機(jī)的刮刀的壓力主要集中在凸起結(jié)構(gòu)上，從而減少對(duì)TFT陣列的壓力；此外，刮刀的壓力通過鋼網(wǎng)傳遞到緩沖層時(shí)，被緩沖層吸收，進(jìn)一步減少對(duì)TFT陣列的壓力，從而避免鋼網(wǎng)印刷過程中產(chǎn)生的壓力對(duì)TFT結(jié)構(gòu)或線路進(jìn)行擠壓，造成TFT結(jié)構(gòu)或線路受損斷路或?qū)娱g接觸短路的問題，提高了產(chǎn)品的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED陣列基板的制備方法、LED陣列基板、面板及設(shè)備。

背景技術(shù)

目前隨著LED封裝技術(shù)的快速發(fā)展，工藝也逐漸成熟，對(duì)于點(diǎn)間距的要求則越來越小，點(diǎn)間距P1.0mm以下的市場(chǎng)需求量逐漸增加。傳統(tǒng)的LED封裝通常采用板上晶片封裝(Chips On Board，COB)方式，將LED發(fā)光晶片固定在印刷線路板(Printed Circuit Board，PCB)上，并進(jìn)行封裝。

由于PCB線路板的精度目前最高僅能達(dá)到1.5mil(38um)，對(duì)于點(diǎn)間距在P1.0mm以下顯示面板，受制于發(fā)光晶片的尺寸及PCB線路板的工藝制程限制，現(xiàn)有的COB封裝方式難以實(shí)現(xiàn)。而TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)玻璃基板在制程上采用的是光刻與刻蝕工藝，因此TFT玻璃基板的精度可達(dá)到2um，使得玻璃上晶片封裝(Chip On Glass，COG)成為點(diǎn)間距P1.0mm以下的最優(yōu)封裝方式。

由于TFT玻璃基板上精密的線路與TFT結(jié)構(gòu)是通過層疊的結(jié)構(gòu)形成的，且線路與TFT通常包括金屬層和無機(jī)層，因此非常脆弱。在將LED發(fā)光晶片固定到TFT玻璃基板上的過程中，通常采用鋼網(wǎng)印刷的方式在TFT玻璃基板上涂刷固晶材料(例如錫膏)，LED發(fā)光晶片通過固晶材料固定在TFT玻璃基板。在鋼網(wǎng)印刷的過程中，印刷機(jī)的刮刀的壓力通過鋼網(wǎng)傳遞到TFT玻璃基板上，對(duì)TFT玻璃基板上的TFT結(jié)構(gòu)或線路進(jìn)行擠壓，造成TFT結(jié)構(gòu)或線路受損導(dǎo)致斷路，或造成各層間的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生接觸導(dǎo)致短路，使得TFT玻璃基板報(bào)廢，降低了產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED陣列基板的制備方法、LED陣列基板、面板及設(shè)備，能夠避免鋼網(wǎng)印刷過程中產(chǎn)生的壓力對(duì)TFT結(jié)構(gòu)或線路進(jìn)行擠壓，造成TFT結(jié)構(gòu)或線路受損斷路或?qū)娱g接觸短路的問題，提高了產(chǎn)品的良率。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種LED陣列基板的制備方法，包括：

提供載體基板，所述載體基板包括用于承載TFT陣列的第一區(qū)域和用于承載LED發(fā)光晶片的第二區(qū)域；

在所述第二區(qū)域內(nèi)形成用于承載LED發(fā)光晶片的凸起結(jié)構(gòu)；

在所述第一區(qū)域內(nèi)形成TFT陣列，所述凸起結(jié)構(gòu)的表面高于所述TFT陣列的表面；

在所述凸起結(jié)構(gòu)上形成金屬焊盤，所述金屬焊盤與所述TFT陣列中的源極或漏極電連接，所述金屬焊盤用于電連接所述LED發(fā)光晶片的電極；

在所述TFT陣列上形成緩沖層，所述緩沖層用于吸收固定所述LED發(fā)光晶片過程中對(duì)所述TFT陣列產(chǎn)生的壓力。

可選的，在所述第二區(qū)域內(nèi)形成用于承載LED發(fā)光晶片的凸起結(jié)構(gòu)，包括：

在所述載體基板上形成犧牲層；

去除部分所述犧牲層，

可選的，去除部分所述犧牲層，在所述第二區(qū)域內(nèi)形成用于承載LED發(fā)光晶片的凸起結(jié)構(gòu)，包括：

在所述犧牲層上形成掩模層；