[發明專利]一種LED陣列基板的制備方法、LED陣列基板、面板及設備

有效

• 申請號: 202010464229.6
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111554783B
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 陳啟燊;秦快;郭恒;王森;謝宗賢;張普翔;馮飛成
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/54;H01L33/00;H01L25/16;G09F9/30
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種LED陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供載體基板，所述載體基板包括用于承載TFT陣列的第一區域和用于承載LED發光晶片的第二區域；

在所述第二區域內形成用于承載LED發光晶片的凸起結構；

在所述第一區域內形成TFT陣列，所述凸起結構的表面高于所述TFT陣列的表面；

在所述凸起結構上形成金屬焊盤，所述金屬焊盤與所述TFT陣列中的源極或漏極電連接，所述金屬焊盤用于電連接所述LED發光晶片的電極；

在所述TFT陣列上形成緩沖層，所述緩沖層為柔性材料，所述緩沖層用于吸收在形成用于固定所述LED發光晶片的導電材料的過程中對所述TFT陣列產生的壓力，所述導電材料通過鋼網印刷形成在所述金屬焊盤上，所述緩沖層的表面低于所述金屬焊盤的表面，或與所述金屬焊盤的表面平齊。

2.根據權利要求1所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述第二區域內形成用于承載LED發光晶片的凸起結構，包括：

在所述載體基板上形成犧牲層；

去除部分所述犧牲層，在所述第二區域內形成用于承載LED發光晶片的凸起結構。

3.根據權利要求2所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，去除部分所述犧牲層，在所述第二區域內形成用于承載LED發光晶片的凸起結構，包括：

在所述犧牲層上形成掩模層；

去除部分所述掩模層，在所述第二區域內形成掩模圖案；

對所述犧牲層進行刻蝕，去除未被所述掩模圖案覆蓋的部分犧牲層；

去除所述掩模圖案，得到用于承載LED發光晶片的凸起結構。

4.根據權利要求1所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述第一區域內形成TFT陣列，包括：

在所述載體基板上形成柵極；

在所述柵極上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層延伸至所述第二區域并覆蓋所述凸起結構；

在所述柵極絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極；

在所述源極和所述漏極上形成鈍化層，所述鈍化層延伸至所述第二區域并覆蓋所述柵極絕緣層。

5.根據權利要求4所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述凸起結構上形成金屬焊盤，包括：

在所述鈍化層上形成貫穿所述鈍化層的通孔，以露出部分所述源極或部分所述漏極；

在所述鈍化層上形成導電層，所述導電層通過所述通孔與所述源極或所述漏極電連接，所述導電層在所述凸起結構上形成金屬焊盤。

6.根據權利要求1所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述第二區域內形成用于承載LED發光晶片的凸起結構之前，還包括：

在所述載體基板上形成刻蝕阻擋層。

7.根據權利要求1所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，所述凸起結構的表面至所述載體基板的表面的第一距離為所述TFT陣列的表面至所述載體基板的表面的第二距離的5-8倍。

8.根據權利要求1所述的LED陣列基板的制備方法，其特征在于，所述緩沖層材料為硅膠或UV膠。

9.一種LED陣列基板，其特征在于，采用如權利要求1-8任一所述的LED陣列基板的制備方法制備。

10.一種LED顯示面板，其特征在于，包括如權利要求9所述的LED陣列基板、多個LED發光晶片和封裝層；

所述LED發光晶片通過導電材料固定在所述金屬焊盤上，所述導電材料通過鋼網印刷形成在所述金屬焊盤上；

所述封裝層覆蓋所述緩沖層和所述LED發光晶片。