[發(fā)明專利]一種晶圓的封裝工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010463058.5 | 申請日: | 2020-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN111613529B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王林;李菲;李偉龍 | 申請(專利權(quán))人: | 華天慧創(chuàng)科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 姚詠華 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封裝 工藝 | ||
本發(fā)明屬于晶圓封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種晶圓的封裝工藝,包括以下步驟:對晶圓透鏡面進行預(yù)切割→在基板上或間隔片下表面用膠→定位對準(zhǔn)并放置間隔片→壓合→在間隔片上用膠→定位對準(zhǔn)放置進行過預(yù)切割的晶圓→壓合→對切割道進行補充點膠。采用隔列或隔行預(yù)切割,形成若干個切割道,在與切割道不對應(yīng)的間隔片上用膠,在將晶圓與間隔片壓合時,能夠使每個小模組內(nèi)的多余氣體通過切割道與間隔片未用膠的位置之間的間隙排出,平衡每個模組的內(nèi)外氣壓,利于結(jié)構(gòu)緊湊不變形;在進行對晶圓與間隔片之間的壓合后,對沒有點膠的切割道與間隔片對應(yīng)位置用點膠機進行補充點膠,以便密封,保證良好的氣密性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶圓封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種晶圓的封裝工藝。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的晶圓封裝工藝基本流程是:在基板上滾膠→定位對準(zhǔn)并放置間隔片→壓合→在間隔片上滾膠→定位放置晶圓→壓合,其間所用設(shè)備:滾膠機、壓合治具、光刻機,工藝缺點:晶圓易變形;壓合時內(nèi)外氣壓差(內(nèi)大外小)引起氣密性不良;封裝模組厚度不均勻;滾膠粘合使整個被封裝模組牢固度不夠。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供晶圓的封裝工藝,解決了晶圓封裝存在氣密性不良、晶圓易變形的技術(shù)問題。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
一種晶圓的封裝工藝,包括以下步驟:
步驟1、對晶圓的透鏡面進行預(yù)切割,預(yù)切割的方式采用隔列或隔行預(yù)切割,形成若干個切割道;
步驟2、在基板上點膠;
步驟3、將間隔片與基板進行對準(zhǔn)壓合;
步驟4、在與晶圓上的切割道不對應(yīng)的間隔片上粘合膠層;
步驟5、將步驟1預(yù)切割后的晶圓與間隔片對準(zhǔn)壓合;
步驟6、對晶圓的切割道進行補充點膠。
一種晶圓的封裝工藝,包括以下步驟:
步驟1、對晶圓的透鏡面進行預(yù)切割,預(yù)切割的方式采用隔列或隔行預(yù)切割,形成若干個切割道;
步驟2、在間隔片的下表面滾膠;
步驟3、將下表面已滾膠的間隔片與基板進行對準(zhǔn)壓合;
步驟4、在與晶圓上的切割道不對應(yīng)的間隔片上粘合膠層;
步驟5、將步驟1預(yù)切割后的晶圓與間隔片對準(zhǔn)壓合;
步驟6、對晶圓的切割道進行補充點膠。
進一步,步驟4中,粘合膠層采用點膠或滾膠的方式。
進一步,采用點膠方式時,步驟4具體為:在與晶圓上的切割道不對應(yīng)的間隔片上點膠。
進一步,采用滾膠的方式時,步驟4具體為:在間隔片的上表面滾膠,將間隔片上表面與切割道相對應(yīng)的面上的膠去除。
進一步,在步驟3和步驟5中,在對準(zhǔn)壓合時,對膠層進行加熱固化。
進一步,在步驟1之前預(yù)先在晶圓的平面上貼合膠膜;在步驟5完成之后撕掉膠膜。
進一步,膠膜采用UV膜。
進一步,步驟1中,預(yù)切割的位置與間隔片及基板隔行或隔列的位置相對應(yīng)。
進一步,步驟1中,切割道寬度小于間隔片的厚度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





