[發(fā)明專利]一種晶圓的封裝工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010463058.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111613529B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王林;李菲;李偉龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華天慧創(chuàng)科技(西安)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 姚詠華 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封裝 工藝 | ||
1.一種晶圓的封裝工藝,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、對(duì)晶圓(1)的透鏡面進(jìn)行預(yù)切割,預(yù)切割的方式采用隔列或隔行預(yù)切割,形成若干個(gè)切割道(2);
步驟2、在基板(4)上點(diǎn)膠;
步驟3、將間隔片(3)與基板(4)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)壓合:在基板(4)上粘結(jié)多個(gè)成行或成列排列的間隔片(3),間隔片(3)包括兩部分,一部分與晶圓(1)上的切割道(2)位置對(duì)應(yīng),另一部分位于兩個(gè)切割道(2)之間,將上述多個(gè)間隔片(3)與基板(4)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)壓合;
步驟4、在與晶圓(1)上的切割道(2)不對(duì)應(yīng)的間隔片(3)上粘合膠層;在與晶圓(1)上的切割道(2)對(duì)應(yīng)的間隔片(3)上不粘合膠層;
步驟5、將步驟1預(yù)切割后的晶圓(1)與間隔片(3)對(duì)準(zhǔn)壓合;
步驟6、對(duì)晶圓(1)的切割道(2)進(jìn)行補(bǔ)充點(diǎn)膠。
2.一種晶圓的封裝工藝,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、對(duì)晶圓(1)的透鏡面進(jìn)行預(yù)切割,預(yù)切割的方式采用隔列或隔行預(yù)切割,形成若干個(gè)切割道(2);
步驟2、在間隔片(3)的下表面滾膠;
步驟3、將下表面已滾膠的間隔片(3)與基板(4)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)壓合:在基板(4)上粘結(jié)多個(gè)成行或成列排列的間隔片(3),間隔片(3)包括兩部分,一部分與晶圓(1)上的切割道(2)位置對(duì)應(yīng),另一部分位于兩個(gè)切割道(2)之間,將上述多個(gè)間隔片(3)與基板(4)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)壓合;
步驟4、在與晶圓(1)上的切割道(2)不對(duì)應(yīng)的間隔片(3)上粘合膠層;在與晶圓(1)上的切割道(2)對(duì)應(yīng)的間隔片(3)上不粘合膠層;
步驟5、將步驟1預(yù)切割后的晶圓(1)與間隔片(3)對(duì)準(zhǔn)壓合;
步驟6、對(duì)晶圓(1)的切割道(2)進(jìn)行補(bǔ)充點(diǎn)膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,步驟4中,粘合膠層采用點(diǎn)膠或滾膠的方式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,采用點(diǎn)膠方式時(shí),步驟4具體為:
在與晶圓(1)上的切割道(2)不對(duì)應(yīng)的間隔片(3)上點(diǎn)膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,采用滾膠的方式時(shí),步驟4具體為:
在間隔片(3)的上表面滾膠,將間隔片(3)上表面與切割道(2)相對(duì)應(yīng)的面上的膠去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,在步驟3和步驟5中,在對(duì)準(zhǔn)壓合時(shí),對(duì)膠層進(jìn)行加熱固化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,在步驟1之前預(yù)先在晶圓(1)的平面上貼合膠膜(5);在步驟5完成之后撕掉膠膜(5)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,膠膜(5)采用UV膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,步驟1中,預(yù)切割的位置與間隔片(3)及基板(4)隔行或隔列的位置相對(duì)應(yīng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓的封裝工藝,其特征在于,步驟1中,切割道(2)寬度小于間隔片(3)的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





