[發明專利]發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 202010462407.1
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111834496B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 從穎;姚振;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種發光二極管外延片，其特征在于，所述發光二極管外延片包括襯底（1）及生長在所述襯底（1）上的外延層（2），所述外延層（2）包括在所述襯底（1）上依次層疊的GaN成核層（21）、插入層（22）、GaN填平層（23）、n型GaN層（24）、發光層（25）及p型GaN層（26），

所述插入層（22）包括依次層疊在所述GaN成核層（21）上的SiN子層（221）、InN子層（222）與AlGaN子層（223），所述GaN成核層（21）包括多個GaN島狀結構（211），所述多個GaN島狀結構（211）間隔設置在所述襯底（1）上，所述SiN子層（221）、所述InN子層（222）與所述AlGaN子層（223）依次層疊在所述GaN島狀結構（211）上，且所述SiN子層（221）遠離所述襯底（1）的表面、所述InN子層（222）遠離所述襯底（1）的表面、所述AlGaN子層（223）遠離所述襯底（1）的表面均具有凹陷。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN填平層（23）遠離所述襯底（1）的表面平行于所述襯底（1）的表面。

3.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述SiN子層（221）的厚度為20~30nm。

4.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述InN子層（222）的厚度為5~10nm。

5.根據權利要求1或2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述AlGaN子層（223）的厚度為10~20nm。

6.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述發光二極管外延片制備方法用于制備如權利要求1所述的發光二極管外延片，所述發光二極管外延片制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長GaN成核層；

在所述GaN成核層上生長插入層，所述插入層包括依次層疊在所述GaN成核層上的SiN子層、InN子層與AlGaN子層，所述GaN成核層（21）包括多個GaN島狀結構（211），所述多個GaN島狀結構（211）間隔設置在所述襯底（1）上，所述SiN子層（221）、所述InN子層（222）與所述AlGaN子層（223）依次層疊在所述GaN島狀結構（211）上，且所述SiN子層（221）遠離所述襯底（1）的表面、所述InN子層（222）遠離所述襯底（1）的表面、所述AlGaN子層（223）遠離所述襯底（1）的表面均具有凹陷；

在所述插入層上生長GaN填平層；

在所述GaN填平層上生長n型GaN層；

在所述n型GaN層上生長發光層；

在所述發光層上生長p型GaN層。

7.根據權利要求6所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，在所述襯底上生長所述GaN成核層后，在所述SiN子層上生長InN子層前，向反應腔內通入10~50s的In源。

8.根據權利要求6所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，在所述SiN子層上生長InN子層后，在所述InN子層上生長AlGaN子層前，向反應腔內通入10~60s的Al源。

9.根據權利要求6~8任一項所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述SiN子層的生長溫度、所述InN子層的生長溫度、所述AlGaN子層的生長溫度依次升高。