[發(fā)明專利]一種帶元器件字符小pcs后處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010461329.3 | 申請日: | 2020-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN111601464A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高鎖強(qiáng);劉敏;李紀(jì)生;車剛軍 | 申請(專利權(quán))人: | 西安金百澤電路科技有限公司;惠州市金百澤電路科技有限公司;深圳市金百澤電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/22 | 分類號: | H05K3/22 |
| 代理公司: | 惠州市超越知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44349 | 代理人: | 郝麗娜 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 元器件 字符 pcs 處理 方法 | ||
1.一種帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1.鐳射出治具卡槽固定待返工小pcs板;
S2.鐳射噴頭高度上限8mm,確認(rèn)噴印效果;
S3.將帶有元器件的一面朝下時(shí),治具厚度即為元器件最高厚度,元器件向上時(shí)治具厚度無影響,鐳射出pcs外形卡槽固定好即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,所述治具采用酚醛墊板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,所述鐳射噴頭高度為5-8mm,調(diào)整確認(rèn)清晰度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,返工帶有元器件板總厚度≤8mm,超出8mm高度的元器件需拆除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,步驟S1中,對于漏印字符及標(biāo)識的小pcs板子返工,治具使用酚醛墊板鐳射出小pcs外型尺寸卡槽鏤空比原PCB尺寸大0.1mm,使帶有元器件的返工板能放置進(jìn)去即可。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,步驟S1中,將帶有元器件需要返工字符的小pcs板放置在鐳射出的治具卡槽內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,步驟S2中,調(diào)整鐳射噴頭高度≤8mm,確認(rèn)噴印效果做首件返工即可。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,步驟S1中,鐳射加工的方法為:使用第一鐳射光束在目標(biāo)卡槽位置燒至第一深度;使用第二鐳射光束將目標(biāo)卡槽燒至底部及目標(biāo)卡槽尺寸;所述第一深度與所述目標(biāo)卡槽深度一半基本相同,并且小于所述目標(biāo)卡槽深度;所述第二鐳射光束直徑小于第一鐳射光束直徑,所述第二鐳射光束能量小于第一鐳射光束能量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,使用第二鐳射光束將目標(biāo)卡槽燒至目標(biāo)卡槽尺寸,先以第二鐳射光束繞圈方式燒出所需卡槽,再在中間再補(bǔ)一發(fā)第二鐳射光束。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的帶元器件字符小pcs后處理方法,其特征在于,使用第二鐳射光束將目標(biāo)卡槽燒至目標(biāo)卡槽尺寸,先以第二鐳射光束對角方式燒出所需卡槽,再在中間再補(bǔ)一發(fā)第二鐳射光束。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安金百澤電路科技有限公司;惠州市金百澤電路科技有限公司;深圳市金百澤電子科技股份有限公司,未經(jīng)西安金百澤電路科技有限公司;惠州市金百澤電路科技有限公司;深圳市金百澤電子科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010461329.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





