[發(fā)明專利]迷你發(fā)光二極管背光模組、其制作方法及顯示裝置

在審

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• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111613709A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 段淼
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一碳膏溶液；

將所述碳膏溶液涂覆在基板上，以在所述基板上形成碳膏陣列，所述碳膏陣列包括多個碳膏接觸點；

將多個迷你發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至所述基板上，所述多個迷你發(fā)光二極管與所述多個碳膏接觸點一一對應(yīng)且接觸；

對所述基板進行低溫退火處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述提供一碳膏溶液的步驟，包括：

將具有高導(dǎo)電性能的碳材料溶入到助焊劑中，形成第一混合溶液；

往所述第一混合溶液中添加粘結(jié)劑，形成第二混合溶液；

將所述第二混合溶液攪拌混合均勻，形成所述碳膏溶液。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述在基板上涂覆所述碳膏溶液，以在所述基板上形成碳膏陣列，所述碳膏陣列包括多個碳膏接觸點的步驟，包括：

提供一掩膜板，并將所述掩膜板與所述基板進行對位處理；

在所述掩膜板上以預(yù)設(shè)速率將所述碳膏溶液印刷在所述基板上；

控制所述掩膜板與所述基板之間的間距以及刮刀的壓力，以在所述基板上形成碳膏陣列，所述碳膏陣列包括多個碳膏接觸點。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述掩膜板與所述基板之間的間距介于0.5毫米-2毫米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述將多個迷你發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至所述基板上，所述多個迷你發(fā)光二極管與所述多個碳膏接觸點一一對應(yīng)且接觸的步驟，包括：

通過轉(zhuǎn)移機臺拾取一個所述迷你發(fā)光二極管，并將所述迷你發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至所述基板上，以使所述迷你發(fā)光二極管與一所述碳膏接觸點對應(yīng)且接觸，直至所述多個迷你發(fā)光二極管均轉(zhuǎn)移至所述基板上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述對所述基板進行低溫退火處理的步驟，包括：

將所述基板放置于加熱臺上；

控制所述加熱臺的加熱溫度以及加熱時間，直至除去所述碳膏溶液內(nèi)的溶劑，完成固晶。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述加熱臺的溫度介于80度-180度之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的迷你發(fā)光二極管背光模組的制作方法，其特征在于，所述加熱時間介于10分鐘-60分鐘。

9.一種迷你發(fā)光二極管背光模組，其特征在于，包括：

基板；

碳膏陣列，所述碳膏陣列設(shè)置在所述基板上，且所述碳膏陣列包括多個碳膏接觸點；

迷你發(fā)光二極管，所述迷你發(fā)光二極管設(shè)置在所述碳膏陣列上，且所述迷你發(fā)光二極管與所述碳膏接觸點一一對應(yīng)且接觸。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的迷你發(fā)光二極管背光模組以及設(shè)置在所述迷你發(fā)光二極管背光模組上的顯示面板。