[發明專利]P型有機半導體材料、制備方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202010460836.5
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111620886A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 王彥杰
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C07D487/22
• 分類號: C07D487/22;C07D487/14;C07D487/04;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本申請提供一種P型有機半導體材料，制備方法及顯示面板。本申請的P型有機半導體材料利用取代基取代了分子結構中環上的氫，得到的P型有機半導體材料的LUMO能級變低。采用本申請的P型有機半導體材料作為發光器件空穴注入層和空穴傳輸層時，空穴傳輸層形成空穴的能力增強，空穴從陽極到空穴傳輸層的注入提高，空穴遷移率隨著提高，從而能夠降低發光器件的驅動電壓。另一方面，該P型有機半導體材料的分子結構平面化程度高，能夠進一步提高空穴遷移率，有利于空穴的注入和傳輸。本申請提供的P型有機半導體材料的制備方法合成步驟簡單，成本低廉。

技術領域

本申請涉及有機發光二極管領域，尤其涉及一種P型有機半導體材料、制備方法及顯示面板。

背景技術

已知的一種有機發光二極管器件包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子注入層、電子傳輸層以及陰極。當對有機發光二極管器件通電時，電子載流子從陰極產生并注入電子注入層，通過電子傳輸層到達發光層；而空穴載流子從陽極產生并注入空穴注入層，通過空穴傳輸層到達發光層；電子載流子和空穴載流子在發光層或發光層與傳輸層界面進行復合，產生激子從而發光。由于空穴注入層和陽極材料，例如氧化銦錫(indiumtin oxide，ITO)之間的最高占有分子軌道(Highest Occupied Molecular，HOMO)差別比較大，空穴從ITO到空穴注入層需要越過較高的勢壘，導致器件的驅動電壓升高，增加功耗，降低器件壽命。為了解決這一問題，已知的一種方式為在空穴注入層中摻雜P型材料，形成P型摻雜材料，降低ITO和空穴注入層之間的勢壘，增加空穴的注入效率。但此種P型材料的合成難度很大，成本高。

發明內容

有鑒于此，本申請提供一種易于合成且能夠降低制備成本的P型有機半導體材料、其制備方法及使用該P型有機半導體材料的顯示面板。

本申請提供一種P型有機半導體材料，所述P型有機半導體材料具有以所表示的分子結構，其中，X為碳原子或氮原子；所述R7、R8、R8、R10、R11、R12選自第一取代基群組；

當所述R1和所述R2開環時，所述R1和所述R2選自所述第一取代基群組，

當所述R1和所述R2成環時，所述R1和所述R2成環后的結構式選自的一種，所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組；

當所述R3和所述R4開環時，所述R3和所述R4選自所述第一取代基群組，

當所述R3和所述R4成環時，所述R3和所述R4成環后的結構式選自的一種，所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組；

當所述R5和所述R6開環時，所述R5和所述R6選自所述第一取代基群組，

當所述R5和所述R6成環時，所述R5和所述R6成環后的結構式選自的一種，所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組；

所述第一取代基群組由硝基、腈基、氰基、鹵素基、鹵代烷基、酯基、甲硅烷基、酰基、磺酸基、醛基、羰基、羧基、亞砜基、氫氧基、烷氧基、氨基、芳基氨基、酰氨基、取代鏈烯、取代苯環基、取代雜環基構成；

所述第二取代基群組由鹵素、CN、構成。

本申請還提供一種P型有機半導體材料的制備方法，所述制備方法包括使含有二酮的第一反應物與含有二胺的第二反應物發生環化反應，生成所述P型有機半導體材料，其中，所述P型有機半導體材料具有以

所表示的分子結構，其中，X為碳原子或氮原子；所述R7、R8、R8、R10、R11、R12選自第一取代基群組；

當所述R1和所述R2開環時，所述R1和所述R2選自所述第一取代基群組，

當所述R1和所述R2成環時，所述R1和所述R2成環后的結構式選自的一種，所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組；