[發明專利]P型有機半導體材料、制備方法及顯示面板在審
| 申請號: | 202010460836.5 | 申請日: | 2020-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN111620886A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | 王彥杰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C07D487/22 | 分類號: | C07D487/22;C07D487/14;C07D487/04;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 半導體材料 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種P型有機半導體材料,其特征在于,所述P型有機半導體材料具有以所表示的分子結構,其中,X為碳原子或氮原子;所述R7、R8、R8、R10、R11、R12選自第一取代基群組;
當所述R1和所述R2開環時,所述R1和所述R2選自所述第一取代基群組,
當所述R1和所述R2成環時,所述R1和所述R2成環后的結構式選自的一種,所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組;
當所述R3和所述R4開環時,所述R3和所述R4選自所述第一取代基群組,
當所述R3和所述R4成環時,所述R3和所述R4成環后的結構式選自的一種,所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組;
當所述R5和所述R6開環時,所述R5和所述R6選自所述第一取代基群組,
當所述R5和所述R6成環時,所述R5和所述R6成環后的結構式選自的一種,所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組;
所述第一取代基群組由硝基、腈基、氰基、鹵素基、鹵代烷基、酯基、甲硅烷基、酰基、磺酸基、醛基、羰基、羧基、亞砜基、氫氧基、烷氧基、氨基、芳基氨基、酰氨基、取代鏈烯、取代苯環基、取代雜環基構成;
所述第二取代基群組由鹵素、CN、構成。
2.如權利要求1所述的P型有機半導體材料,其特征在于,所述P型有機半導體材料為下列化合物中的一種:
其中,所述基團X為-CN、-F、的一種或多種。
3.一種P型有機半導體材料的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:
使含有二酮的第一反應物與含有二胺的第二反應物發生環化反應,生成所述P型有機半導體材料,其中,所述P型有機半導體材料具有以所表示的分子結構,其中,X為碳原子或氮原子;所述R7、R8、R8、R10、R11、R12選自第一取代基群組;
當所述R1和所述R2開環時,所述R1和所述R2選自所述第一取代基群組,
當所述R1和所述R2成環時,所述R1和所述R2成環后的結構式選自的一種,所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組;
當所述R3和所述R4開環時,所述R3和所述R4選自所述第一取代基群組,
當所述R3和所述R4成環時,所述R3和所述R4成環后的結構式選自的一種,所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組;
當所述R5和所述R6開環時,所述R5和所述R6選自所述第一取代基群組,
當所述R5和所述R6成環時,所述R5和所述R6成環后的結構式選自的一種,所述基團m1、m2、m3和m4選自第二取代基群組;
所述第一取代基群組由硝基、腈基、氰基、鹵素基、鹵代烷基、酯基、甲硅烷基、酰基、磺酸基、醛基、羰基、羧基、亞砜基、氫氧基、烷氧基、氨基、芳基氨基、酰氨基、取代鏈烯、取代苯環基、取代雜環基構成;
所述第二取代基群組由鹵素、CN、構成。
4.如權利要求3所述的P型有機半導體材料的制備方法,其特征在于,所述第一反應物具有以所表示的分子結構。
5.如權利要求4所述的P型有機半導體材料的制備方法,其特征在于,
當所述第一反應物為時,所述第二反應物包括
當所述第一反應物為時,所述第二反應物包括
當所述第一反應物為時,所述第二反應物包括
6.如權利要求3所述的P型有機半導體材料的制備方法,其特征在于,所述第一反應物具有以所表示的分子結構,所述第二反應物具有以所表示的分子結構。
7.如權利要求6所述的P型有機半導體材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括使通過取代反應生成所述
8.一種有機發光二極管顯示面板,其特征在于,包括基板和設置于所述基板上的有機發光二極管器件,所述有機發光二極管器件包括陽極、陰極、依次層疊設置于所述陽極和所述陰極之間的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層,所述空穴注入層包括如權利要求1或2所述的P型有機半導體材料。
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