[發明專利]覆晶薄膜及其制造方法

在審

• 申請號: 202010460228.4
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111584436A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 周一安;王林志;董崔健;席克瑞;孔祥建;劉金娥;秦鋒
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L21/48;H01L23/31
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

提供母基板；

在所述母基板上依次形成第一種子層及第一光阻層；

圖案化所述第一光阻層以形成具有第一圖案化光阻層和第一鏤空區的第一中間基板，所述第一中間基板通過所述第一鏤空區暴露至少部分所述第一種子層；

至少在所述第一鏤空區暴露的所述第一種子層上形成第一金屬層；

去除所述第一圖案化光阻層及未被所述第一鏤空區內的所述第一金屬層覆蓋的所述第一種子層，以形成具有第一圖案化導電層的初始導電基板，其中，所述初始導電基板在第一方向上劃分為第一綁定區、第二綁定區及夾設于所述第一綁定區和所述第二綁定區之間的走線區。

2.根據權利要求1所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，在所述提供母基板的步驟之后及所述在所述母基板上依次形成第一種子層及第一光阻層的步驟之前，還包括：在所述母基板上形成中間布線層；

所述在所述母基板上依次形成第一種子層及第一光阻層的步驟，包括：在所述中間布線層上依次形成所述第一種子層及所述第一光阻層。

3.根據權利要求2所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述在所述母基板上形成中間布線層的步驟，包括：

在所述母基板上依次形成第二種子層及第二光阻層；

圖案化所述第二光阻層以形成具有第二圖案化光阻層和第二鏤空區的第二中間基板，所述第二中間基板通過所述第二鏤空區暴露至少部分所述第二種子層；

至少在所述第二鏤空區暴露的所述第二種子層上形成第二金屬層；

去除所述第二圖案化光阻層及未被所述第二鏤空區內的所述第二金屬層覆蓋的所述第二種子層以形成具有第二圖案化導電層的第二導電基板；

在所述第二導電基板上設置平坦化層，所述平坦化層填充所述第二圖案化導電層中各導體之間的間隙。

4.根據權利要求3所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述在所述母基板上形成中間布線層的步驟中，所述在所述第二導電基板上設置平坦化層的步驟之后，還包括：

在所述平坦化層背向所述母基板的表面開設連接孔，所述連接孔暴露至少部分所述第二圖案化導電層。

5.根據權利要求4所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述在所述中間布線層上依次形成所述第一種子層及所述第一光阻層的步驟中，所述第一種子層形成在所述平坦化層上并延伸至所述連接孔暴露的所述第二圖案化導電層上。

6.根據權利要求1所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述至少在所述第一鏤空區暴露的所述第一種子層上形成第一金屬層的步驟中，所述第一金屬層采用電鍍的方式形成或者濺射的方式形成；

其中，采用電鍍的方式形成所述第一金屬層時，所述第一金屬層僅形成于所述第一鏤空區暴露的所述第一種子層上。

7.根據權利要求3所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述至少在所述第二鏤空區暴露的所述第二種子層上形成第二金屬層的步驟中，所述第二金屬層采用電鍍的方式形成或者濺射的方式形成；

其中，采用電鍍的方式形成所述第二金屬層時，所述第二金屬層僅形成于所述第二鏤空區暴露的所述第二種子層上。

8.根據權利要求1所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一圖案化光阻層及未被所述第一鏤空區內的所述第一金屬層覆蓋的所述第一種子層以形成具有第一圖案化導電層的初始導電基板的步驟之后，還包括：

在所述初始導電基板的所述第一圖案化導電層上進一步形成第三金屬層，所述第三金屬層包覆所述第一圖案化導電層暴露的表面，以形成具有第三圖案化導電層的第一導電基板。