[發明專利]基板處理設備和清潔腔室內部的方法

在審

• 申請號: 202010460156.3
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN112080736A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 美山遼
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/509
• 分類號: C23C16/509;C23C16/52;C23C16/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種基板處理設備的示例包括：腔室；基座，其設置在腔室內并在其中具有電極；金屬板，其面向基座；多個阻抗調節器，其具有不同阻抗；以及選擇裝置，其配置為將多個阻抗調節器之一連接到電極。

技術領域

描述了涉及基板處理設備和清潔腔室內部的方法的示例。

背景技術

在CVD(化學氣相沉積)或ALD(原子層沉積)中清潔腔室內部的方法可大致分為遠程等離子體法和直接等離子體法。在用諸如NF₃之類的鹵素進行的遠程等離子體清潔中，還可以促進對除RF電極與基座之間的區域以外的其余區域的清潔。然而，例如在HM碳處理中，膜形成溫度高達500℃或更高，從而導致腔室部件的損壞。例如，在僅用氧進行的遠程等離子體清潔中，活性物質很可能會失活，從而導致清潔效率低下。

另一方面，例如在用氧等離子體進行的直接等離子體清潔中，由于等離子體和活性物質基本上僅在RF電極與基座之間產生，因此在其他區域中清潔效率降低。例如，在基座的下部或包圍基座的排氣管內部的清潔可能不足。如果未適當清潔腔室內部，則可能在腔室中產生顆粒。另外，低效的清潔降低生產率。

發明內容

本文描述的一些示例可以解決上述問題。本文描述的一些示例可以提供基板處理設備和清潔方法，其使得可以清潔腔室中的寬范圍。

在一些示例中，一種基板處理設備包括：腔室；基座，其設置在腔室內并在其中具有電極；金屬板，其面向基座；多個阻抗調節器，其具有不同阻抗；以及選擇裝置，其配置為將多個阻抗調節器之一連接到電極。

附圖說明

圖1示出了基板處理設備的配置示例；

圖2A示出了多個阻抗調節器的配置示例；

圖2B示出了多個阻抗調節器的另一示例；

圖3A示出了多個阻抗調節器的另一示例；

圖3B示出了多個阻抗調節器的又一示例；

圖4示出了通過使用第一阻抗調節器的等離子體處理或常規清潔中的等離子體；

圖5示出了通過使用第二阻抗調節器的寬范圍清潔中的等離子體；以及

圖6示出了根據另一示例的多個阻抗調節器的配置示例。

具體實施方式

將參考附圖描述基板處理設備和清潔腔室內部的方法。相同的附圖標記可以用于相同或相應的部件，從而省略了多余的描述。

圖1示出了根據實施例的基板處理設備10的配置示例。該基板處理設備10包括腔室12和在腔室12中的基座16。基座16包括基部16a和在基部16a內部的電極16b。基部16a例如由諸如SiC的碳基材料、石墨材料或陶瓷制成。電極16b的大部分嵌入該基部16a中。基座加熱器可以設置在基部16a的內部或外圍。在基座16上，設置有面向基座16的金屬板14。金屬板14設置有狹縫14a。基座16和金屬板14提供平行的平板結構。AC電源連接到金屬板14。AC電源向金屬板14施加例如HRF(高RF)和LRF(低RF)。HRF的頻率例如是13.56MHz或27MHz；LRF的頻率例如是5MHz或400-500kHz。

排氣管30通過O形環34安裝在腔室12上。排氣管30的形狀可設置成包圍基座16。金屬板14通過O形環32安裝在排氣管30上。

在圖1中，示出了三個氣體源23、24和25。氣體從這些氣體源23、24和25經由金屬板14的狹縫14a被供給到基座16和金屬板14之間的空間中。氣體例如用于基板處理或清潔。在該示例中，金屬板14是施加有RF功率的高頻電極，并且還是用于通過狹縫14a供應氣體的蓮蓬頭。在另一示例中，可以從任何位置將氣體供應到金屬板與基座之間的空間中。已經用于諸如基板處理或清潔的過程的氣體通過排氣管30被引導至排氣端口26。