[發明專利]基板處理設備和清潔腔室內部的方法

在審

• 申請號: 202010460156.3
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN112080736A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 美山遼
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/509
• 分類號: C23C16/509;C23C16/52;C23C16/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種基板處理設備，包括：

腔室；

基座，其設置在腔室內并在其中具有電極；

金屬板，其面向基座；

多個阻抗調節器，其具有不同阻抗；以及

選擇裝置，其配置為將多個阻抗調節器之一連接到電極。

2.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個阻抗調節器包括具有第一電容器的第一阻抗調節器和具有第二電容器的第二阻抗調節器。

3.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個阻抗調節器包括具有電容器的第一阻抗調節器和僅具有布線的第二阻抗調節器。

4.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個阻抗調節器包括具有電容器的第一阻抗調節器和具有線圈的第二阻抗調節器。

5.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個阻抗調節器包括電容器和線圈的并聯電路。

6.根據權利要求1所述的基板處理設備，包括：

與所述金屬板連接的AC電源；并且其中，

所述多個阻抗調節器包括第一阻抗調節器和第二阻抗調節器；

第一阻抗調節器的阻抗與電極的阻抗之和小于電極的阻抗；以及

第二阻抗調節器的阻抗與電極的阻抗之和大于電極的阻抗。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的基板處理設備，其中，

所述金屬板是具有縫隙的蓮蓬頭。

8.一種清潔方法，包括：

在基座的電極通過第一阻抗調節器接地的同時，向面向腔室中的基座的金屬板施加高頻功率，以在基座和金屬板之間的第一區域中產生等離子體；以及

在電極通過阻抗與第一阻抗調節器的阻抗不同的第二阻抗調節器接地的同時，向金屬板施加高頻功率，以在第一區域和第二區域中產生等離子體，第二區域位于基座的下表面側。

9.根據權利要求8所述的清潔方法，其中，

當在第二區域中產生等離子體時，在設置成包圍基座的排氣管中的第三區域中也產生等離子體。

10.根據權利要求8或9所述的清潔方法，其中，

用等離子體處理放置在所述基座上的基板，當電極通過第一阻抗調節器接地時，在第一區域中產生等離子體。

11.根據權利要求10所述的清潔方法，其中，

當電極通過第一阻抗調節器接地以在第一區域中產生等離子體時，產生烴等離子體；以及

當電極通過第二阻抗調節器接地以在第一區域和第二區域中產生等離子體時，產生基于氧的等離子體。