[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010460082.3
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN112670409A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 蔡伊甄;曾元泰;徐晨祐
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

本發明實施例涉及半導體結構及其形成方法。根據本發明的一些實施例，一種半導體結構包含：襯底；第一電極，其位于所述襯底上方；第二電極，其位于所述第一電極上方；及第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間。所述第一絕緣層具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一絕緣層的所述第二部分與所述第二電極接觸，所述第一部分通過所述第二部分來與所述第二電極分離。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構及其形成方法。

背景技術

集成芯片形成于包含數百萬個或數十億個晶體管裝置的半導體裸片上。晶體管裝置經配置以用作開關及/或產生功率增益以實現集成芯片的邏輯功能(例如執行邏輯函數的功能)。集成芯片通常也包含無源裝置，例如電容器、電阻器、電感器、變容二極管等等。無源裝置廣泛用于控制集成芯片特性(例如增益、時間常數等等)且向集成芯片提供各種不同功能(例如將模擬及數字兩種電路并入到相同裸片上)。

在無源裝置中，包含由電容器電介質分離的至少一頂部金屬板及底部金屬板的電容器(例如金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器)通常實施于集成電路中。

發明內容

根據本發明的實施例，一種半導體結構包括：襯底；第一電極，其位于所述襯底上方；第二電極，其位于所述第一電極上方；及第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述第一絕緣層具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一絕緣層的所述第二部分與所述第二電極接觸，所述第一部分通過所述第二部分來與所述第二電極分離，且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

根據本發明的實施例，一種半導體結構包括：第一電極；第二電極，其位于所述第一電極上方；第三電極，其位于所述第二電極上方；第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間；及第二絕緣層，其介于所述第二電極與所述第三電極之間；其中所述第三電極包括第一底面及第二底面，所述第一底面及所述第二底面處于不同水平，且所述第一底面的寬度大于所述第二底面的寬度。

根據本發明的實施例，一種形成半導體結構的方法包括：接收包括第一電極及所述第一電極上的第一絕緣層的襯底；在所述第一絕緣層上形成第一導電層；移除所述第一導電層的部分以在所述第一絕緣層上形成圖案化第一導電層且暴露所述第一絕緣層的第一部分；及移除所述圖案化第一導電層的部分以形成第二電極且暴露所述第一絕緣層的第二部分，其中所述第一絕緣層的所述第二部分的厚度大于所述第一絕緣層的所述第一部分的厚度。

附圖說明

參考從結合附圖閱讀的以下詳細描述最佳理解本發明實施例的方面。應注意，根據行業標準做法，各種構件未按比例繪制。實際上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種構件的尺寸。

圖1是表示根據本發明實施例的方面的用于制造半導體結構的方法的流程圖。

圖2A到圖2M是說明根據一或多個實施例中的本發明實施例的方面所建構的各個制造階段中的半導體結構的示意圖。

具體實施方式

以下揭露提供用于實施所提供目標的不同特征的許多不同實施例或實例。下文將描述元件及布置的特定實例以簡化本發明實施例。當然，這些僅為實例且不意在限制。例如，在以下描述中，使第一構件形成于第二構件上方或第二構件上可包含其中形成直接接觸的所述第一構件及所述第二構件的實施例，且也可包含其中額外構件可形成于所述第一構件與所述第二構件之間使得所述第一構件及所述第二構件可不直接接觸的實施例。另外，本發明實施例可在各種實例中重復元件符號及/或字母。此重復是為了簡單及清楚且其本身不指示所討論的各種實施例及/或配置之間的關系。