[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010460082.3
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN112670409A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 蔡伊甄;曾元泰;徐晨祐
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

1.一種半導體結構，其包括：

襯底；

第一電極，其位于所述襯底上方；

第二電極，其位于所述第一電極上方；及

第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間，

其中所述第一絕緣層具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一絕緣層的所述第二部分與所述第二電極接觸，所述第一部分通過所述第二部分來與所述第二電極分離，且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其進一步包括所述第二電極上方的第三電極及所述第三電極與所述第二電極之間的第二絕緣層。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中所述第二絕緣層具有第三部分及耦合到所述第三部分的第四部分，且所述第四部分的厚度大于所述第三部分的厚度。

4.根據權利要求2所述的半導體結構，其進一步包括所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間的階梯界面。

5.一種半導體結構，其包括：

第一電極；

第二電極，其位于所述第一電極上方；

第三電極，其位于所述第二電極上方；

第一絕緣層，其介于所述第一電極與所述第二電極之間；及

第二絕緣層，其介于所述第二電極與所述第三電極之間；

其中所述第三電極包括第一底面及第二底面，所述第一底面及所述第二底面處于不同水平，且所述第一底面的寬度大于所述第二底面的寬度。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述第二絕緣層具有所述第二電極與所述第三電極之間及所述第一電極與所述第三電極之間的一致厚度。

7.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述第一電極與所述第三電極的所述第一底面之間的距離小于所述第一電極與所述第三電極的所述第二底面之間的距離。

8.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述第二絕緣層包括第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第二部分與所述第三電極接觸，且所述第一部分與所述第三電極分離。

9.一種形成半導體結構的方法，其包括：

接收包括第一電極及所述第一電極上的第一絕緣層的襯底；

在所述第一絕緣層上形成第一導電層；

移除所述第一導電層的部分以在所述第一絕緣層上形成圖案化第一導電層且暴露所述第一絕緣層的第一部分；及

移除所述圖案化第一導電層的部分以形成第二電極且暴露所述第一絕緣層的第二部分，

其中所述第一絕緣層的所述第二部分的厚度大于所述第一絕緣層的所述第一部分的厚度。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括：

在所述第二電極及所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；及

在所述第二絕緣層上形成第二導電層；及

移除所述第二導電層的部分以在所述第二絕緣層上形成第三電極且暴露所述第二絕緣層的第三部分。