[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法在審
| 申請號: | 202010457046.1 | 申請日: | 2020-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN112017994A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 東克榮;森隆;灘和成;上前昭司;新莊淳一;秀浦伸二 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 范勝杰;金慧善 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
本發明的提供基板處理裝置以及基板處理方法?;逄幚硌b置通過第一供給配管供給稀釋用液,通過第二供給配管供給藥液。通過調整部調整流過第一供給配管的稀釋用液的流量。在混合罐中對通過第一供給配管供給的稀釋用液和通過第二供給配管供給的藥液進行混合。通過濃度計測量稀釋用液和藥液的混合液中的藥液的濃度。通過控制部決定稀釋用液的流量的修正量以便通過濃度計測量的濃度成為設定值,將所決定的修正量提供給調整部。調整部根據所提供的修正量,修正流過第一供給配管的稀釋用液的流量。
技術領域
本發明涉及使用稀釋后的藥液對基板進行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術
為了對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板或光盤用玻璃基板等基板進行使用了處理液的處理,而使用基板處理裝置。在進行基板的蝕刻等基板處理的基板處理裝置中,生成稀釋了的藥液作為向基板供給的處理液。
例如,在日本專利第5043487號公報記載的基板處理裝置中,通過氫氟酸供給管向混合部供給貯存在氫氟酸罐中的氫氟酸的原液。另外,通過DIW供給管向上述混合部供給DIW(De-ionized water:去離子水)。通過流量調節閥適當地調整通過氫氟酸供給管的氫氟酸的原液的流量,在混合部生成具有希望的濃度的稀氫氟酸。
發明內容
近年來,伴隨著半導體的微型化,為了提高蝕刻的精度,要求高精度地使蝕刻所使用的藥液的濃度穩定。例如,要求以5000±5ppm的精度使稀氫氟酸的濃度穩定。但是,本發明人們的研究的結果明確了在使用從工廠設備供給的DIW的情況下,難以通過日本專利第5043487號公報記載的方法生成按照上述精度使濃度穩定了的稀氫氟酸。
因此,考慮在基板處理裝置中設置貯存DIW的稱量槽,從該稱量槽供給DIW。在該情況下,需要設置極大的稱量槽。例如,在2.4L的氫氟酸罐中貯存有濃度49%的氫氟酸的原液的情況下,為了生成具有約1/100的濃度(5000ppm)的氫氟酸,需要設置貯存約240L的DIW的稱量槽。但是,在基板處理裝置中設置這樣的大型的稱量槽是不現實的。
另外,在葉片式的基板處理裝置中,同時通過多個處理部進行多個基板的處理,因此一次性消耗大量的藥液。因此,通過使上述氫氟酸罐的容量小型化而使DIW用的稱量槽小型化并不是不理想的。
本發明的目的在于:提供生成高精度地使濃度穩定的藥液的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發明人們反復進行各種實驗和考察的結果,得到了以下這樣的見解,即從工廠設備供給的稀釋用液的壓力的變動對生成的藥液的濃度的穩定性產生影響。由于稀釋用液的壓力變動,稀釋用液的流量以較長的周期變動。使用者無法預測、也無法控制這樣的來自工廠設備的稀釋用液的壓力的變動。本發明人們在考慮到這樣的狀況的基礎上,找出能夠高精度地使藥液的濃度穩定的結構,構想了以下的本發明。
(1)本發明的一個方面的基板處理裝置是使用稀釋后的藥液對基板進行處理的基板處理裝置,該基板處理裝置具備:第一配管,其供給稀釋用液;第二配管,其供給藥液;第一調整部,其調整流過第一配管的稀釋用液的流量;混合罐,其對通過第一配管供給的稀釋用液和通過第二配管供給的藥液進行混合;濃度計,其測量稀釋用液和藥液的混合液中的藥液的濃度;控制部,其決定稀釋用液的流量的修正量以便通過濃度計測量的濃度成為設定值,并將所決定的修正量提供給第一調整部,第一調整部根據由控制部提供的修正量,修正流過第一配管的稀釋用液的流量。
在該基板處理裝置中,通過第一配管供給稀釋用液,并通過第二配管供給藥液。通過第一調整部調整流過第一配管的稀釋用液的流量。在混合罐中混合通過第一配管供給的稀釋用液和通過第二配管供給的藥液。通過濃度計測量混合了稀釋用液和藥液后的混合液中的藥液的濃度。決定稀釋用液的流量的修正值以便通過濃度計測量的濃度成為設定值,并將所決定的修正量提供給第一調整部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





