[發明專利]光電器件及其制作方法

在審

• 申請號: 202010456444.1
• 申請日: 2020-05-26
• 公開（公告）號: CN112447896A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 王剛;初晨
• 申請（專利權）人: 開發晶照明（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L25/075
• 代理公司: 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種光電器件，其特征在于，包括：

基底；

多個發光芯片，設置在所述基底上、且電連接所述基底；

第一環形結構，在所述基底上環繞所述多個發光芯片設置；

第一波長轉換層，設置在所述第一環形結構內、且覆蓋所述多個發光芯片；

第二環形結構，在所述基底上環繞所述多個發光芯片設置、且與所述第一環形結構接觸連接；以及

第二波長轉換層，設置在所述第二環形結構內、且覆蓋所述第一波長轉換層和所述多個發光芯片，其中所述第二波長轉換層包含的波長轉換物質與所述第一波長轉換層包含的波長轉換物質的材料不同。

2.根據權利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述第一環形結構與所述第二環形結構依次層疊設置在所述基底上，從而所述第一環形結構位于所述第二環形結構與所述基底之間；以及所述第一環形結構的側壁內外表面之間的最大距離大于或等于所述第二環形結構的側壁內外表面之間的最大距離。

3.根據權利要求2所述的光電器件，其特征在于，所述第二波長轉換層與所述第一波長轉換層遠離所述基底的頂面直接接觸，且所述第一波長轉換層的所述頂面的邊緣不高于所述第二環形結構的側壁內表面與所述第一環形結構的側壁內表面之間的接合線。

4.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述第一波長轉換層的所述頂面為平面或外凸面。

5.根據權利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述第二環形結構環繞所述第一環形結構設置、且與所述第一環形結構的側壁外表面接觸；以及所述第二環形結構在所述基底上的厚度大于所述第一環形結構在所述基底上的厚度。

6.根據權利要求5所述的光電器件，其特征在于，所述第一環形結構的材料與所述第二環形結構的材料不同。

7.如權利要求6所述的光電器件，其特征在于，所述第一環形結構為可見光透明材料，且所述第二環形結構為可見光不透明材料。

8.如權利要求2所述的光電器件，其特征在于，還包括：

第三環形結構，在所述基底上環繞所述多個發光芯片設置；以及

封裝膠，填充在所述第三環形結構內、且不包含熒光粉；

其中，所述第三環形結構位于所述第一環形結構與所述基底之間，且所述封裝膠接觸并覆蓋所述多個發光芯片；或者，所述第三環形結構位于所述第二環形結構遠離所述第一環形結構的一側，所述封裝膠接觸并覆蓋所述第二波長轉換層遠離所述基底的頂面，且所述封裝膠包含有光擴散粒子。

9.根據權利要求1至8任意一項所述的光電器件，其特征在于，所述基底包括金屬基材、絕緣層、電路層和保護層；所述絕緣層位于所述金屬基材與所述電路層之間，所述電路層位于所述絕緣層與所述保護層之間，且所述保護層局部暴露出所述電路層；以及所述多個發光芯片電連接所述電路層。

10.一種光電器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上設置多個發光芯片，并使所述多個發光芯片電連接所述基底；

在所述基底上環繞所述多個發光芯片設置第一環形結構；

在所述第一環形結構內設置第一波長轉換層，并使所述第一波長轉換層覆蓋所述多個發光芯片；

在設置所述第一波長轉換層之后，在所述基底上環繞所述多個發光芯片設置第二環形結構，并使所述第二環形結構與所述第一環形結構接觸連接；以及

在所述第二環形結構內設置第二波長轉換層，并使所述第二波長轉換層覆蓋所述第一波長轉換層和所述多個發光芯片，其中所述第二波長轉換層包含的波長轉換物質與所述第一波長轉換層包含的波長轉換物質的材料不同。