[發(fā)明專利]光電器件及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010456444.1
• 申請日: 2020-05-26
• 公開（公告）號: CN112447896A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王剛;初晨
• 申請（專利權(quán)）人: 開發(fā)晶照明（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L25/075
• 代理公司: 深圳精智聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

本發(fā)明實施例涉及一種光電器件及其制作方法，例如包括：基底；多個發(fā)光芯片，設(shè)置在所述基底上、且電連接所述基底；第一環(huán)形結(jié)構(gòu)，在所述基底上環(huán)繞所述多個發(fā)光芯片設(shè)置；第一波長轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)、且覆蓋所述多個發(fā)光芯片；第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，在所述基底上環(huán)繞所述多個發(fā)光芯片設(shè)置、且與所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)接觸連接；以及第二波長轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)、且覆蓋所述第一波長轉(zhuǎn)換層和所述多個發(fā)光芯片，其中所述第二波長轉(zhuǎn)換層包含的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)與所述第一波長轉(zhuǎn)換層包含的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)的材料不同。本發(fā)明實施例可以改善光電器件的出光均勻度，提升光電器件的出光質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光電器件及其制作方法。

背景技術(shù)

目前，光電器件例如發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)有采用雙層點膠工藝，其具體是：在安裝有藍光發(fā)光二極管芯片的鏡面鋁基底上形成一個環(huán)形結(jié)構(gòu)，以及在所述環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)點第一層熒光膠(例如含紅色熒光粉的封裝膠)并烘干后、再點第二層熒光膠(例如含綠色或黃色熒光粉的封裝膠)并烘干。然而，在第一層熒光膠點入所述環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)后，由于所述環(huán)形結(jié)構(gòu)與第一層熒光膠之間的表面張力，所述第一層熒光膠會在所述環(huán)形結(jié)構(gòu)側(cè)壁爬膠形成弧面，導致所述第一層熒光膠呈現(xiàn)中間低四周高的內(nèi)凹狀態(tài)；這樣一來，所述第二熒光膠會出現(xiàn)中間厚四周薄的情形，從而嚴重影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光均勻性，出射的光斑呈現(xiàn)中心與外圈顏色差異很大的情況。此外，如果所述雙層點膠工藝采用自然沉淀或離心沉淀等雙層點膠沉淀工藝，不但會有發(fā)光均勻性問題，若所述第一層熒光膠中熒光粉用量低，還可能會產(chǎn)生側(cè)漏藍光問題。因此，有必要改善現(xiàn)有光電器件例如發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，為克服現(xiàn)有技術(shù)中的至少部分缺陷和不足，本發(fā)明實施例提供一種光電器件及其制作方法，以提升光電器件例如發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光質(zhì)量。

具體地，本發(fā)明實施例提出的一種光電器件，包括：基底；多個發(fā)光芯片，設(shè)置在所述基底上、且電連接所述基底；第一環(huán)形結(jié)構(gòu)，在所述基底上環(huán)繞所述多個發(fā)光芯片設(shè)置；第一波長轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)、且覆蓋所述多個發(fā)光芯片；第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，在所述基底上環(huán)繞所述多個發(fā)光芯片設(shè)置、且與所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)接觸連接；以及第二波長轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)、且覆蓋所述第一波長轉(zhuǎn)換層和所述多個發(fā)光芯片，其中所述第二波長轉(zhuǎn)換層包含的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)與所述第一波長轉(zhuǎn)換層包含的波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)的材料不同。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)與所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)依次層疊設(shè)置在所述基底上，從而所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)位于所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)與所述基底之間；以及所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁內(nèi)外表面之間的最大距離大于或等于所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁內(nèi)外表面之間的最大距離。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第二波長轉(zhuǎn)換層與所述第一波長轉(zhuǎn)換層遠離所述基底的頂面直接接觸，且所述第一波長轉(zhuǎn)換層的所述頂面的邊緣不高于所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁內(nèi)表面與所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁內(nèi)表面之間的接合線。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一波長轉(zhuǎn)換層的所述頂面為平面或外凸面。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)設(shè)置、且與所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁外表面接觸；以及所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)在所述基底上的厚度大于所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)在所述基底上的厚度。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的材料與所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的材料不同。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)為可見光透明材料，且所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)為可見光不透明材料。