[發明專利]半導體裝置封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 202010456443.7
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN111599771A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 何承諭;王陳肇;丁俊彥;鐘明峰;潘柏志
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/07;H01L21/56;H01L23/498;H01Q1/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體裝置封裝，包含：

第一介電層，其具有頂表面及與所述頂表面相對的底表面；

電組件，位于所述第一介電層內；

第二介電層，安置在所述第一介電層的所述頂表面上，其中所述第二介電層包含預浸材料；

天線，位于所述第二介電層上，所述天線耦合到所述電組件；及

電連接件，安置在所述第一介電層的所述底表面上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述第一介電層包括模塑料及預浸材料中之至少一者。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置封裝，其中所述第一介電層包括預浸漬復合纖維。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述第二介電層包括預浸漬復合纖維。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其中所述天線經由探針饋電(probe feed)電連接到所述電組件。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，更包括第三介電層，安置在所述第一介電層的所述底表面上。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝，其中所述第三介電層包括模塑料及預浸材料中之至少一者。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置封裝，其中所述第三介電層包括預浸漬復合纖維。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝，更包括保護層，安置在所述第三介電層上，其中所述電連接件的一部分從所述保護層曝露。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置封裝，其中所述電連接件穿透所述第一介電層及所述第三介電層，且所述電連接件將所述電組件電連接到所述第一介電層內的另一電組件或將所述電組件電連接到外部電路。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，更包括導電墊，嵌入于所述第二介電層內且由所述第二介電層囊封，其中所述導電墊位于所述天線的下方。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置封裝，其中所述導電墊包括共振結構。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝，其中所述導電墊包括孔隙。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝，更包括導電線，安置在所述第一介電層中且具有一部份位于所述導電墊及所述天線下方，其中所述導電線電連接到所述電組件且經由所述導電墊的所述共振結構電磁耦合到所述天線。

15.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，更包括焊料球，安置在所述第一介電層的所述底表面上，其中所述焊料球電連接到所述電組件。

16.一種半導體裝置封裝，其包含：

頂面載體，其包括第一天線；及

底面載體，其包括第一導電線及導電墊，其中所述導電墊與所述第一天線相對且具有一部份位于所述導電墊下方，且所述第一導電線經由所述導電墊電磁耦合到所述第一天線。

17.根據權利要求16所述的半導體裝置封裝，其中所述頂面載體具有頂表面及與所述頂表面相對的底表面，其中所述底表面面對所述底面載體，且所述半導體裝置封裝更包括第一電組件，其安置在所述頂面載體的所述頂表面上。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置封裝，其中所述頂面載體更包括第二導電線及第二天線，其中所述第二導電線電連接到所述電組件，且所述第二導電線電磁耦合到所述第二天線。