[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010454921.0
• 申請日: 2020-05-26
• 公開（公告）號: CN113725290A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 楊廣立
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/10;H01L21/331
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的集電區；

位于所述集電區上的基區，所述基區的摻雜類型與所述集電區的摻雜類型相反，且所述基區的底部高于所述集電區的底部；

位于所述基區內的過渡區，所述過渡區的摻雜類型與所述基區的摻雜類型相反，且所述過渡區的底部高于所述基區的底部，所述過渡區的頂部低于所述基區的頂部；

位于所述基區上的發射區，所述發射區的摻雜類型與基區的摻雜類型相反，且所述發射區的底部高于所述基區的底部。

2.如權利要求1所述半導體結構，其特征在于，還包括：位于所述集電區上的集電極，所述集電極與集電區的摻雜類型相同，且集電極的摻雜濃度大于集電區的摻雜濃度；位于所述基區上的基極，所述基極與所述基區的摻雜類型相同，且所述基極的摻雜濃度大于所述基區的摻雜濃度。

3.如權利要求1所述半導體結構，其特征在于，還包括：位于所述基區上的環形隔離結構，所述環形隔離結構包圍所述發射區和部分所述基區，且所述環形隔離結構的底部高于所述基區的底部。

4.如權利要求1所述半導體結構，其特征在于，還包括：位于所述基區和所述集電區上的第一隔離結構，所述第一隔離結構環繞所述基區，且所述第一隔離結構底部高于基區底部；位于所述襯底和所述集電區上的第二隔離結構，所述第二隔離結構環繞所述集電區，且所述第二隔離結構底部高于集電區底部。

5.如權利要求1所述半導體結構，其特征在于，所述集電區的摻雜類型為N型摻雜，所述基區的摻雜類型為P型摻雜，所述發射區的摻雜類型為N型摻雜，所述過渡區的摻雜類型為N型摻雜。

6.如權利要求1所述半導體結構，其特征在于，所述集電區的摻雜類型為P型摻雜，所述基區的摻雜類型為N型摻雜，所述發射區的摻雜類型為P型摻雜，所述過渡區的摻雜類型為P型摻雜。

7.如權利要求5或6所述半導體結構，其特征在于，所述N型摻雜的摻雜離子為N型離子，所述N型離子包括：磷離子或砷離子；所述P型摻雜的摻雜離子為P型離子，所述P型離子包括：硼離子或銦離子。

8.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括

提供襯底；

在所述襯底上形成集電區；

在所述集電區上形成基區，所述基區的摻雜類型與所述集電區的摻雜類型相反，且所述基區的底部高于所述集電區的底部；

在所述基區內形成過渡區，所述過渡區的摻雜類型與所述基區的摻雜類型相反，且所述過渡區的底部高于所述基區的底部，所述過渡區的頂部低于所述基區的頂部；

在所述基區上形成發射區，所述發射區的摻雜類型與基區的摻雜類型相反，且所述發射區的底部高于所述基區的底部。

9.如權利要求8所述半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述集電區上形成集電極，所述集電極與集電區的摻雜類型相同，且集電極的摻雜濃度大于集電區的摻雜濃度；在所述基區上形成基極，所述基極與所述基區的摻雜類型相同，且所述基極的摻雜濃度大于所述基區的摻雜濃度。

10.如權利要求8所述半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述基區上形成環形隔離結構，所述環形隔離結構包圍所述發射區和部分所述基區，且所述環形隔離結構的底部高于所述基區的底部。

11.如權利要求8所述半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述基區和所述集電區上形成第一隔離結構，所述第一隔離結構環繞所述基區，且所述第一隔離結構底部高于基區底部；在所述襯底和所述集電區上形成第二隔離結構，所述第二隔離結構環繞所述集電區，且所述第二隔離結構底部高于集電區底部。