[發明專利]形成對準標記的方法

有效

• 申請號: 202010447799.4
• 申請日: 2020-05-25
• 公開（公告）號: CN113611596B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 何熊武;徐偉國;白源吉;談文毅
• 申請（專利權）人: 聯芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種形成對準標記的方法，其包含提供一晶片，然后形成一光致抗蝕劑層覆蓋晶片，之后進行一曝光顯影制作工藝，移除部分的光致抗蝕劑層，剩余的光致抗蝕劑層形成一圖案化光致抗蝕劑層，接續進行一硬烤制作工藝，固化圖案化光致抗蝕劑層，使得圖案化光致抗蝕劑層成為一對準標記，其中對準標記包含氧化硅，最后將晶片放置在一機臺上以對準標記為對準記號，定位晶片和機臺之間的相對位置。

技術領域

本發明涉及一種形成對準標記的方法，特別是涉及一種利用曝光顯影的方式形成對準標記的方法。

背景技術

在半導體制作工藝中，光刻裝置被用來在晶片上形成所需電路圖案。通常光致抗蝕劑涂布在晶片后將光照向光掩模上所欲曝光的電路圖案，以將前述電路圖案轉印至在晶片上的光致抗蝕劑，其中光掩模具有布局圖案。現有光刻裝置包含所謂的光刻步進機，光刻步進機將光投向整個電路圖案，以在每一曝光步驟，將電路圖案轉印至晶片上的一曝光區域(shot)。現有光刻裝置也包含掃描機(scanner)，掃描機在每一曝光步驟中同步移動光掩模和晶片，并讓掃描光照射部分電路圖案，以逐步將電路圖案轉印至晶片上的曝光區域。為準確地將電路圖案投射于晶片上所要位置，晶片在曝光前必須先對準，為對準晶片，晶片上必須形成有對準標記(alignment mark)。

曝光機(例如步進機或掃描機)以激光檢測晶片上的對準標記并進行影像處理，并對晶片來做定位，曝光機可經由對準結果來決定晶片位置，并經由調整透鏡組合，移動晶片平臺或光掩模將晶片定位到正確位置，以確保曝光動作的可靠性。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種便利簡單的方式來形成對準標記。根據本發明的一優選實施例，一種形成對準標記的方法，包含提供一晶片，然后形成一光致抗蝕劑層覆蓋晶片，之后進行一曝光顯影制作工藝，移除部分的光致抗蝕劑層，剩余的光致抗蝕劑層形成一圖案化光致抗蝕劑層，接續進行一硬烤制作工藝，固化圖案化光致抗蝕劑層，使得圖案化光致抗蝕劑層成為一對準標記，其中對準標記包含氧化硅，最后將晶片放置在一機臺上以對準標記為對準記號，定位晶片和機臺之間的相對位置。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施方式，并配合所附的附圖，作詳細說明如下。然而如下的較佳實施方式與附圖僅供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制者。

附圖說明

圖1至圖4為本發明的一優選實施例所繪示的一種形成對準標記的方法的示意圖；

圖5至圖11為本發明的一優選實施例所繪示的一種形成摻雜區和淺溝槽隔離的方法的示意圖。

主要元件符號說明

10:晶片

12:墊氧化硅層

14:光致抗蝕劑層

16:軟烤制作工藝

18:曝光制作工藝

20:圖案化光致抗蝕劑層

20a:對準標記

22:顯影制作工藝

24:硬烤制作工藝

26:機臺

28:光掩模

30:圖案化掩模

32:離子注入制作工藝

34:摻雜區

36:氮化硅層

38:機臺

40:光掩模

42:圖案化光致抗蝕劑層

44:淺溝槽