[發(fā)明專利]形成對準標(biāo)記的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010447799.4
• 申請日: 2020-05-25
• 公開（公告）號: CN113611596B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何熊武;徐偉國;白源吉;談文毅
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成對準標(biāo)記的方法，包含：

提供晶片；

形成光致抗蝕劑層覆蓋該晶片；

進行曝光顯影制作工藝，移除部分的該光致抗蝕劑層，剩余的該光致抗蝕劑層形成圖案化光致抗蝕劑層；

進行一硬烤(hard bake)制作工藝，固化該圖案化光致抗蝕劑層，使得該圖案化光致抗蝕劑層成為一對準標(biāo)記，其中該對準標(biāo)記包含氧化硅；

將該晶片放置在機臺上以該對準標(biāo)記為對準記號，定位該晶片和該機臺之間的相對位置；

在定位該晶片和該機臺之間的相對位置之后，形成圖案化掩模覆蓋該對準標(biāo)記以及部分的該晶片；

以該圖案化掩模為掩模進行離子注入制作工藝以在該晶片中形成摻雜區(qū)；以及

移除該圖案化掩模。

2.如權(quán)利要求1所述的形成對準標(biāo)記的方法，另包含：

在定位該晶片和該機臺之間的相對位置之后，形成圖案化掩模覆蓋該對準標(biāo)記以及部分的該晶片；

以該圖案化掩模為掩模進行蝕刻制作工藝以在該晶片中形成淺溝槽；

形成淺溝槽絕緣層覆蓋該圖案化掩模并且填入該淺溝槽；以及

移除該圖案化掩模，并且保留該對準標(biāo)記，其中余留在該淺溝槽中的該淺溝槽絕緣層作為淺溝槽隔離。

3.如權(quán)利要求1所述的形成對準標(biāo)記的方法，另包含：

在進行該曝光顯影制作工藝之前，對該光致抗蝕劑層進行軟烤(Soft Bake)制作工藝，其中該軟烤制作工藝的溫度為110℃以下。

4.如權(quán)利要求1所述的形成對準標(biāo)記的方法，其中該硬烤制作工藝的溫度為250℃以上。

5.如權(quán)利要求1所述的形成對準標(biāo)記的方法，其中該對準標(biāo)記凸出于該晶片的表面。