[發(fā)明專(zhuān)利]具有嵌入其中的電子組件的基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010446869.4
• 申請(qǐng)日: 2020-05-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113013107A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邊大亭;樸昌華;鄭相鎬;羅驥皓;樸帝相;李用悳;李鎮(zhèn)洹
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L21/56;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;曹志博

本發(fā)明提供一種具有嵌入其中的電子組件的基板，所述具有嵌入其中的電子組件的基板包括：芯結(jié)構(gòu)，包括第一絕緣體和芯布線(xiàn)層，并且具有貫穿所述第一絕緣體的一部分的腔體；電子組件，設(shè)置在所述腔體中；絕緣材料，覆蓋所述芯結(jié)構(gòu)和所述電子組件中的每個(gè)的至少一部分，并且設(shè)置在所述腔體的至少一部分中；布線(xiàn)層，設(shè)置在所述絕緣材料上；以及積聚結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述絕緣材料上并且包括第二絕緣體和積聚布線(xiàn)層。所述第一絕緣體的材料具有比所述第二絕緣體的熱膨脹系數(shù)(CTE)小的CTE，并且所述絕緣材料具有比所述第二絕緣體的材料的CTE小的CTE。

本申請(qǐng)要求于2019年12月19日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0170934號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容出于所有目的通過(guò)引用被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種具有嵌入其中的電子組件的基板。

背景技術(shù)

隨著第五代(5G)時(shí)代的到來(lái)，安裝在智能電話(huà)的主板上的組件數(shù)量已經(jīng)增加。在保持與4G通信、LTE通信的兼容性的同時(shí)，還可能有必要確保其中安裝諸如用于5G通信的天線(xiàn)、基帶調(diào)制解調(diào)器等組件的空間。因此，已經(jīng)考慮通過(guò)以系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的形式使組件模塊化來(lái)減小組件的尺寸。

發(fā)明內(nèi)容

提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡(jiǎn)化的形式對(duì)選擇的構(gòu)思進(jìn)行介紹，并在下面的具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容既不意在限定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

本公開(kāi)的一方面在于提供一種具有嵌入其中的電子組件的基板，即使具有非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，該具有嵌入其中的電子組件的基板也可控制翹曲。

本公開(kāi)的另一方面在于提供一種具有嵌入其中的電子組件的基板，該具有嵌入其中的電子組件的基板可以以系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的形式被模塊化和小型化。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，在具有非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)并且具有嵌入其中的電子組件的基板中，通過(guò)使用于嵌入電子組件的絕緣材料與用于積聚的絕緣材料之間存在差異來(lái)平衡熱膨脹系數(shù)(CTE)。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，通過(guò)在具有嵌入其中的電子組件的基板上設(shè)置表面安裝組件來(lái)實(shí)現(xiàn)模塊化結(jié)構(gòu)。

例如，一種具有嵌入其中的電子組件的基板包括：芯結(jié)構(gòu)，包括第一絕緣體和分別設(shè)置在所述第一絕緣體上或設(shè)置在所述第一絕緣體中的多個(gè)芯布線(xiàn)層，并且具有在從所述第一絕緣體的第一表面朝向與所述第一表面相對(duì)的第二表面的方向上貫穿所述第一絕緣體的一部分的腔體；電子組件，設(shè)置在所述腔體中；絕緣材料，覆蓋所述芯結(jié)構(gòu)和所述電子組件中的每個(gè)的至少一部分，并且設(shè)置在所述腔體的至少一部分中；布線(xiàn)層，設(shè)置在所述絕緣材料上；以及積聚結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述絕緣材料上并且包括第二絕緣體和一個(gè)或更多個(gè)積聚布線(xiàn)層，所述第二絕緣體覆蓋所述布線(xiàn)層的至少一部分，所述一個(gè)或更多個(gè)積聚布線(xiàn)層分別設(shè)置在所述第二絕緣體上或設(shè)置在所述第二絕緣體中。所述第一絕緣體的材料具有比所述第二絕緣體的材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)小的CTE，并且所述絕緣材料具有比所述第二絕緣體的材料的CTE小的CTE。

例如，一種基板包括：芯結(jié)構(gòu)，包括第一絕緣體和分別設(shè)置在所述第一絕緣體上或設(shè)置在所述第一絕緣中的芯布線(xiàn)層，并且具有貫穿所述第一絕緣體的一部分的腔體；電子組件，設(shè)置在所述腔體中；絕緣材料，覆蓋所述芯結(jié)構(gòu)和所述電子組件中的每個(gè)的至少一部分，并且設(shè)置在所述腔體的至少一部分中；布線(xiàn)層，直接設(shè)置在所述絕緣材料上；過(guò)孔層，在所述絕緣材料中將所述布線(xiàn)層連接到所述芯布線(xiàn)層和所述電子組件的連接墊中的一者；以及積聚結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述絕緣材料上并且包括第二絕緣體和一個(gè)或更多個(gè)積聚布線(xiàn)層，所述第二絕緣體覆蓋所述布線(xiàn)層的至少一部分，所述一個(gè)或更多個(gè)積聚布線(xiàn)層分別設(shè)置在所述第二絕緣體上或設(shè)置在所述第二絕緣體中。所述絕緣材料具有比所述第二絕緣體的材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)小的CTE。所述腔體具有阻擋層作為所述腔體的底表面。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的以上和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解。