[發明專利]三維存儲器裝置在審
| 申請號: | 202010446737.1 | 申請日: | 2020-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN112038348A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 金昶汎;金成勳;金勝淵 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11524 | 分類號: | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;張川緒 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 存儲器 裝置 | ||
提供一種三維存儲器裝置,包括:第一存儲器單元陣列,包括垂直堆疊在基底的頂表面的第一存儲器單元陣列區域上的第一存儲器單元;第二存儲器單元陣列,包括垂直堆疊在頂表面的第二存儲器單元陣列區域上的第二存儲器單元;多條第一字線,連接到第一存儲器單元并包括所述多條第一字線的子集和剩余的第一字線;多條第二字線,連接到第二存儲器單元并包括所述多條第二字線的子集和剩余的第二字線;行解碼器,包括多個合并傳輸晶體管,所述多個合并傳輸晶體管各自公共連接到所述多條第一字線的子集中的相應的一條第一字線和所述多條第二字線的子集中的相應的一條第二字線,行解碼器設置在第一存儲器單元陣列區域與第二存儲器單元陣列區域之間的區域中。
要求于2019年6月3日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0065472號韓國專利申請的優先權,所述韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。
技術領域
發明構思涉及存儲器裝置,更具體地,涉及三維存儲器裝置。
背景技術
存儲器裝置用于存儲數據,并且通常被分類為在沒有電力的情況下丟失數據的易失性存儲器裝置或者在沒有電力的情況下保持數據的非易失性存儲器裝置。非易失性存儲器裝置的一個示例是在蜂窩電話、數碼相機、便攜式數字助理(PDA)、移動計算機裝置、固定計算機裝置和其他裝置中常見的閃存裝置。
已經開發了三維(3D)存儲器裝置以滿足非易失性存儲器裝置的更高的存儲器容量和小型化的矛盾需求。三維存儲器裝置是包括垂直地堆疊在基底上的多個存儲器單元或者存儲器單元陣列的存儲器裝置。然而,隨著堆疊的存儲器單元的數量增加,控制存儲器單元所需的晶體管的數量急劇增加。結果,在三維存儲器裝置中布置晶體管所需的空間增加,因此三維存儲器裝置的總體尺寸增加。這會導致難以避免超過包括三維存儲器裝置的存儲器封裝的臨界尺寸。
發明內容
發明構思提供了通過晶體管與存儲器單元之間的連接結構以及晶體管的布置結構減小尺寸的三維存儲器裝置。
發明構思的實施例提供一種存儲器裝置,所述存儲器裝置包括:基底,包括頂表面;第一存儲器單元陣列,包括垂直堆疊在基底的頂表面的第一存儲器單元陣列區域上的第一存儲器單元;第二存儲器單元陣列,包括垂直堆疊在基底的頂表面的第二存儲器單元陣列區域上的第二存儲器單元;多條第一字線,連接到第一存儲器單元,所述多條第一字線包括所述多條第一字線的子集和剩余的第一字線;多條第二字線,連接到第二存儲器單元,所述多條第二字線包括所述多條第二字線的子集和剩余的第二字線;和行解碼器,包括多個合并傳輸晶體管,所述多個合并傳輸晶體管中的每個公共地連接到所述多條第一字線的子集中的相應的一條第一字線和所述多條第二字線的子集中的相應的一條第二字線,并且行解碼器被設置在基底的頂表面的在第一存儲器單元陣列區域與第二存儲器單元陣列區域之間的行解碼器區域中。
發明構思的實施例還提供一種存儲器裝置,所述存儲器裝置包括:基底,具有頂表面;第一存儲器單元陣列,包括第一存儲器堆疊,第一存儲器堆疊包括垂直堆疊在基底的頂表面的第一存儲器單元陣列區域上的第一存儲器單元;第二存儲器單元陣列,包括第二存儲器堆疊,第二存儲器堆疊包括垂直堆疊在基底的頂表面的第二存儲器單元陣列區域上的第二存儲器單元;多條第一字線,連接到第一存儲器單元,所述多條第一字線包括所述多條第一字線的子集和剩余的第一字線;多條第二字線,連接到第二存儲器單元,所述多條第二字線包括所述多條第二字線的子集和剩余的第二字線;多個第一合并傳輸晶體管,布置在第一存儲器單元陣列區域與第二存儲器單元陣列區域之間的區域中,所述多個第一合并傳輸晶體管中的每個公共地連接到所述多條第一字線的子集中的相應的一條第一字線和所述多條第二字線的子集中的相應的一條第二字線;多個第一傳輸晶體管,布置得與第一存儲器單元陣列區域鄰近并且分別連接到剩余的第一字線;和多個第二傳輸晶體管,布置得與第二存儲器單元陣列區域鄰近并且分別連接到剩余的第二字線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





